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Exciton localization and structural disorder of GaAs1−xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates
Exciton localization and structural disorder of GaAs1−xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates
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Exciton localization and structural disorder of GaAs1−xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates

G. A. Prando Vanessa Orsi Gordo; J Puustinen; J Hilska; H. M Alghamdi; G Som; M Gunes; M Akyol; Sérgio Paulo Amaral Souto; Ariano de Giovanni Rodrigues; Helder Vinícius Avanço Galeti; M Henini; Yara Galvao Gobato; Mircea Guina

Semiconductor Science and Technology Bristol v. 33, n. 8, p. 1-7, 2018

Bristol 2018

Localização: FZEA - Fac. Zoot. Eng. de Alimentos    (PCD 2018 Exc )(Acessar)

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Deste Autor:

  1. Akyol, M
  2. Henini, M
  3. Alghamdi, H
  4. Gordo, V
  5. Gunes, M

Neste Assunto:

  1. Epitaxia Por Feixe Molecular
  2. Fotoluminescência
  3. Semicondutores

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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