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Refinado por: autor: Dalpian, G remover assunto: Matéria Condensada remover Fazzio, A remover
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1
Ab initio study of initial stages of growth of Ge on Si(001)
Ab initio study of initial stages of growth of Ge on Si(001)
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Ab initio study of initial stages of growth of Ge on Si(001)

G. M. Dalpian (Gustavo Martini) Antônio J. R. da Silva; A Janotti; Adalberto Fazzio; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (22. 1999 São Lourenço)

Resumos São Paulo : SBF, 1999

São Paulo SBF 1999

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2
Ge monomers and dimers adsorbed on the Si(100) surface
Ge monomers and dimers adsorbed on the Si(100) surface
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Ge monomers and dimers adsorbed on the Si(100) surface

G. M. Dalpian (Gustavo Martini) A Janotti; Adalberto Fazzio; Antonio Jose Roque da Silva; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (23. 2000 São Lourenço)

Resumos São Paulo : SBF, 2000

São Paulo SBF 2000

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3
Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom
Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom

G. M. Dalpian (Gustavo Martini) A Fazzio; Antonio Jose Roque da Silva

Physical Review B Woodbury v. 63, n. 20, p. 5303/1-5303/4, 2001

Woodbury 2001

Acesso online

4
Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'
Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'

P Venezuela G M Dalpian; Antonio Jose Roque da Silva; Adalberto Fazzio

Physical Review B Woodbury v. 65, n. 19, p. 193306/1-193306/ , 2002

Woodbury 2002

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5
Adsorption of Mn atoms on the Si(100) surface
Adsorption of Mn atoms on the Si(100) surface
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Adsorption of Mn atoms on the Si(100) surface

G. M. Dalpian (Gustavo Martini) Antonio Jose Roque da Silva; Adalberto Fazzio

Surface Science v. 566-568, pt.2, p. 688-692, 2004

Amsterdam 2004

Acesso online

6
Initial stages of Ge and si growth neas "S IND.B" monoatomic steps on Si(100)
Initial stages of Ge and si growth neas "S IND.B" monoatomic steps on Si(100)
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Initial stages of Ge and si growth neas "S IND.B" monoatomic steps on Si(100)

G. M. Dalpian (Gustavo Martini) Antonio Jose Roque da Silva; Adalberto Fazzio

Physical Review B v. 70, p. 19, p. 193306/1-193306/4, 2004

Woodbury 2004

Acesso online

7
Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom
Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom

G. M. Dalpian (Gustavo Martini) A Fazzio; Antonio Jose Roque da Silva

Physical Review B Woodbury v. 63, n. 20, p. 5303/1-5303/4, 2001

Woodbury 2001

Acesso online

8
Adsorption of Mn atoms on the Si(100) surface
Adsorption of Mn atoms on the Si(100) surface
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Adsorption of Mn atoms on the Si(100) surface

G. M. Dalpian (Gustavo Martini) Antonio Jose Roque da Silva; Adalberto Fazzio

Surface Science v. 566-568, pt.2, p. 688-692, 2004

Amsterdam 2004

Acesso online

9
Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'
Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'

P Venezuela G M Dalpian; Antonio Jose Roque da Silva; Adalberto Fazzio

Physical Review B Woodbury v. 65, n. 19, p. 193306/1-193306/ , 2002

Woodbury 2002

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10
Initial stages of Ge and si growth neas "S IND.B" monoatomic steps on Si(100)
Initial stages of Ge and si growth neas "S IND.B" monoatomic steps on Si(100)
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Initial stages of Ge and si growth neas "S IND.B" monoatomic steps on Si(100)

G. M. Dalpian (Gustavo Martini) Antonio Jose Roque da Silva; Adalberto Fazzio

Physical Review B v. 70, p. 19, p. 193306/1-193306/4, 2004

Woodbury 2004

Acesso online

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Deste Autor:

  1. Silva, A
  2. Fazzio, A
  3. Dalpian, G
  4. Janotti, A
  5. Venezuela, P

Neste Assunto:

  1. Semicondutores
  2. Magnetismo
  3. Estrutura Atômica (Física Moderna)
  4. Fenômeno De Transporte
  5. Ferromagnetismo

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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