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Refinado por: Nome da Publicação: Journal Of Crystal Growth remover idioma: Japonês remover
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1
Growth of GaN based structures on Si(1 1 0) by molecular beam epitaxy
Growth of GaN based structures on Si(1 1 0) by molecular beam epitaxy
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Growth of GaN based structures on Si(1 1 0) by molecular beam epitaxy

Cordier, Y. ; Moreno, J.-C. ; Baron, N. ; Frayssinet, E. ; Chauveau, J.-M. ; Nemoz, M. ; Chenot, S. ; Damilano, B. ; Semond, F.

Journal of crystal growth, 2010-09, Vol.312 (19), p.2683-2688 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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2
The influence of various MOCVD parameters on the growth of Al1-xInxN ternary alloy on GaN templates
The influence of various MOCVD parameters on the growth of Al1-xInxN ternary alloy on GaN templates
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The influence of various MOCVD parameters on the growth of Al1-xInxN ternary alloy on GaN templates

KIM-CHAUVEAU, H ; DE MIERRY, P ; CHAUVEAU, J.-M ; DUBOZ, J.-Y

Journal of crystal growth, 2011-02, Vol.316 (1), p.30-36 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier

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3
Growth of non-polar ZnO/(Zn,Mg)O quantum well structures on R-sapphire by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Growth of non-polar ZnO/(Zn,Mg)O quantum well structures on R-sapphire by plasma-assisted molecular beam epitaxy
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Growth of non-polar ZnO/(Zn,Mg)O quantum well structures on R-sapphire by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Chauveau, J.-M. ; Buell, D.A. ; Laügt, M. ; Vennéguès, P. ; Teisseire-Doninelli, M. ; Berard-Bergery, S. ; Deparis, C. ; Lo, B. ; Vinter, B. ; Morhain, C.

Journal of crystal growth, 2007-04, Vol.301, p.366-369 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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4
Influence of MBE growth conditions on the quality of InAlAs/InGaAs metamorphic HEMTs on GaAs
Influence of MBE growth conditions on the quality of InAlAs/InGaAs metamorphic HEMTs on GaAs
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Influence of MBE growth conditions on the quality of InAlAs/InGaAs metamorphic HEMTs on GaAs

Cordier, Y. ; Lorenzini, P. ; Chauveau, J.-M. ; Ferré, D. ; Androussi, Y. ; DiPersio, J. ; Vignaud, D. ; Codron, J.-L.

Journal of crystal growth, 2003-04, Vol.251 (1), p.822-826 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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5
Interplay between relaxation, surface morphology and composition modulation in InAlAs graded buffer layers
Interplay between relaxation, surface morphology and composition modulation in InAlAs graded buffer layers
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Interplay between relaxation, surface morphology and composition modulation in InAlAs graded buffer layers

Chauveau, Jean-Michel ; Cordier, Y. ; Kim, H.J. ; Ferré, D. ; Androussi, Y. ; Persio, J.Di

Journal of crystal growth, 2003-04, Vol.251 (1), p.112-117 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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