skip to main content
Refinado por: Base de dados/Biblioteca: Engineered Materials Abstracts remover idioma: Japonês remover Journal Of Crystal Growth remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Growth of GaN based structures on Si(1 1 0) by molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Growth of GaN based structures on Si(1 1 0) by molecular beam epitaxy

Cordier, Y. ; Moreno, J.-C. ; Baron, N. ; Frayssinet, E. ; Chauveau, J.-M. ; Nemoz, M. ; Chenot, S. ; Damilano, B. ; Semond, F.

Journal of crystal growth, 2010-09, Vol.312 (19), p.2683-2688 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

Texto completo disponível

2
Growth of non-polar ZnO/(Zn,Mg)O quantum well structures on R-sapphire by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Growth of non-polar ZnO/(Zn,Mg)O quantum well structures on R-sapphire by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Chauveau, J.-M. ; Buell, D.A. ; Laügt, M. ; Vennéguès, P. ; Teisseire-Doninelli, M. ; Berard-Bergery, S. ; Deparis, C. ; Lo, B. ; Vinter, B. ; Morhain, C.

Journal of crystal growth, 2007-04, Vol.301, p.366-369 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

Texto completo disponível

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Data de Publicação 

De até

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.