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1
Quantification of the bond-angle dispersion by Raman spectroscopy and the strain energy of amorphous silicon
Material Type:
Artigo
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Quantification of the bond-angle dispersion by Raman spectroscopy and the strain energy of amorphous silicon

Roura, P. ; Farjas, J. ; Roca i Cabarrocas, P.

Journal of applied physics, 2008-10, Vol.104 (7) [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

Texto completo disponível

2
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Artigo
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Raman scattering investigation on structural and chemical disorder generated by laser ablation and mechanical microindentations of InSb single crystal

Myriam Rincon Joya Paulo Sérgio Pizani; Renato Goulart Jasinevicius; Ricardo Elgul Samad; Wagner de Rossi; Nilson Dias Vieira Junior

Journal of Applied Physics Melville v. 100, n. 5, p. 1-4, Sep. 2006

Melville 2006

Acesso online

3
Material Type:
Artigo
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Raman scattering investigation on structural and chemical disorder generated by laser ablation and mechanical microindentations of InSb single crystal

Myriam Rincon Joya Paulo Sérgio Pizani; Renato Goulart Jasinevicius; Ricardo Elgul Samad; Wagner de Rossi; Nilson Dias Vieira Junior

Journal of Applied Physics Melville v. 100, n. 5, p. 1-4, Sep. 2006

Melville 2006

Acesso online

4
Quasi real-time Raman studies on the growth of Cu–In–S thin films
Material Type:
Artigo
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Quasi real-time Raman studies on the growth of Cu–In–S thin films

Rudigier, Eveline ; Barcones, Beatriz ; Luck, Ilka ; Jawhari-Colin, T. ; Pérez-Rodrı́guez, Alejandro ; Scheer, Roland

Journal of applied physics, 2004-05, Vol.95 (9), p.5153-5158 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

Texto completo disponível

5
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Artigo
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Spectroscopic study of Nd-doped amorphous SiN films

C. T. M. Ribeiro Máximo Siu Li; Antonio Ricardo Zanatta

Journal of Applied Physics Melville v. 96, n. 2, p. 1068-1073, Jul. 2004

Melville 2004

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD009866 )(Acessar)

6
Kerr measurements on single-domain SrRuO3 thin films
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Artigo
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Kerr measurements on single-domain SrRuO3 thin films

Herranz, G. ; Dix, N. ; Sánchez, F. ; Martínez, B. ; Fontcuberta, J. ; García-Cuenca, M. V. ; Ferrater, C. ; Varela, M. ; Hrabovsky, D. ; Fert, A. R.

Journal of applied physics, 2005-05, Vol.97 (10) [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

Texto completo disponível

7
Polymorphous Si thin films from radio frequency plasmas of SiH4 diluted in Ar: A study by transmission electron microscopy and Raman spectroscopy
Material Type:
Artigo
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Polymorphous Si thin films from radio frequency plasmas of SiH4 diluted in Ar: A study by transmission electron microscopy and Raman spectroscopy

Viera, G. ; Huet, S. ; Bertran, E. ; Boufendi, L.

Journal of applied physics, 2001-10, Vol.90 (8), p.4272-4280 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

Texto completo disponível

8
Effect of stress and composition on the Raman spectra of etch-stop SiGeB layers
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Artigo
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Effect of stress and composition on the Raman spectra of etch-stop SiGeB layers

Pérez-Rodríguez, A. ; Romano-Rodríguez, A. ; Cabezas, R. ; Morante, J. R. ; Jawhari, T. ; Hunt, C. E.

Journal of applied physics, 1996-11, Vol.80 (10), p.5736-5741 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

Texto completo disponível

9
Blackbody emission under laser excitation of silicon nanopowder produced by plasma-enhanced chemical-vapor deposition
Material Type:
Artigo
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Blackbody emission under laser excitation of silicon nanopowder produced by plasma-enhanced chemical-vapor deposition

Costa, J. ; Roura, P. ; Morante, J. R. ; Bertran, E.

Journal of applied physics, 1998-06, Vol.83 (12), p.7879-7885 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

Texto completo disponível

10
Spectroscopic characterization of phases formed by high-dose carbon ion implantation in silicon
Material Type:
Artigo
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Spectroscopic characterization of phases formed by high-dose carbon ion implantation in silicon

Serre, C. ; Pérez-Rodríguez, A. ; Romano-Rodríguez, A. ; Morante, J. R. ; Kögler, R. ; Skorupa, W.

Journal of applied physics, 1995-04, Vol.77 (7), p.2978-2984 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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