skip to main content
Idioma:
previous page 1 2 Resultados 3 4 5 next page
Refinado por: Nome da Publicação: Applied Physics Letters remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
21
Evolution of phases and ferroelectric properties of thin Hf0.5Zr0.5O2 films according to the thickness and annealing temperature
Evolution of phases and ferroelectric properties of thin Hf0.5Zr0.5O2 films according to the thickness and annealing temperature
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Evolution of phases and ferroelectric properties of thin Hf0.5Zr0.5O2 films according to the thickness and annealing temperature

Hyuk Park, Min ; Joon Kim, Han ; Jin Kim, Yu ; Lee, Woongkyu ; Moon, Taehwan ; Seong Hwang, Cheol

Applied physics letters, 2013-06, Vol.102 (24) [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
22
Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate
Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate

Usami, Shigeyoshi ; Ando, Yuto ; Tanaka, Atsushi ; Nagamatsu, Kentaro ; Deki, Manato ; Kushimoto, Maki ; Nitta, Shugo ; Honda, Yoshio ; Amano, Hiroshi ; Sugawara, Yoshihiro ; Yao, Yong-Zhao ; Ishikawa, Yukari

Applied physics letters, 2018-04, Vol.112 (18) [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
23
Ultra-broadband microwave metamaterial absorber
Ultra-broadband microwave metamaterial absorber
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ultra-broadband microwave metamaterial absorber

Ding, Fei ; Cui, Yanxia ; Ge, Xiaochen ; Jin, Yi ; He, Sailing

Applied physics letters, 2012-03, Vol.100 (10), p.103506-103506-4 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
24
Impact of threading dislocation density on the lifetime of InAs quantum dot lasers on Si
Impact of threading dislocation density on the lifetime of InAs quantum dot lasers on Si
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Impact of threading dislocation density on the lifetime of InAs quantum dot lasers on Si

Jung, Daehwan ; Herrick, Robert ; Norman, Justin ; Turnlund, Katherine ; Jan, Catherine ; Feng, Kaiyin ; Gossard, Arthur C. ; Bowers, John E.

Applied physics letters, 2018-04, Vol.112 (15) [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
25
High reverse breakdown voltage Schottky rectifiers without edge termination on Ga2O3
High reverse breakdown voltage Schottky rectifiers without edge termination on Ga2O3
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

High reverse breakdown voltage Schottky rectifiers without edge termination on Ga2O3

Yang, Jiancheng ; Ahn, Shihyun ; Ren, F. ; Pearton, S. J. ; Jang, Soohwan ; Kim, Jihyun ; Kuramata, A.

Applied physics letters, 2017-05, Vol.110 (19) [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
26
Rotational electromagnetic energy harvester for human motion application at low frequency
Rotational electromagnetic energy harvester for human motion application at low frequency
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Rotational electromagnetic energy harvester for human motion application at low frequency

Zhang, Yulong ; Luo, Anxin ; Wang, Yifan ; Dai, Xiangtian ; Lu, Yan ; Wang, Fei

Applied physics letters, 2020-02, Vol.116 (5) [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
27
Spin-phonon coupling in antiferromagnetic nickel oxide
Spin-phonon coupling in antiferromagnetic nickel oxide
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Spin-phonon coupling in antiferromagnetic nickel oxide

Aytan, E. ; Debnath, B. ; Kargar, F. ; Barlas, Y. ; Lacerda, M. M. ; Li, J. X. ; Lake, R. K. ; Shi, J. ; Balandin, A. A.

Applied physics letters, 2017-12, Vol.111 (25) [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
28
Influence of metal choice on (010) β-Ga2O3 Schottky diode properties
Influence of metal choice on (010) β-Ga2O3 Schottky diode properties
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Influence of metal choice on (010) β-Ga2O3 Schottky diode properties

Farzana, Esmat ; Zhang, Zeng ; Paul, Pran K. ; Arehart, Aaron R. ; Ringel, Steven A.

Applied physics letters, 2017-05, Vol.110 (20) [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
29
Finite-key analysis for the 1-decoy state QKD protocol
Finite-key analysis for the 1-decoy state QKD protocol
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Finite-key analysis for the 1-decoy state QKD protocol

Rusca, Davide ; Boaron, Alberto ; Grünenfelder, Fadri ; Martin, Anthony ; Zbinden, Hugo

Applied physics letters, 2018-04, Vol.112 (17) [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
30
Epitaxial growth of a silicene sheet
Epitaxial growth of a silicene sheet
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Epitaxial growth of a silicene sheet

Lalmi, Boubekeur ; Oughaddou, Hamid ; Enriquez, Hanna ; Kara, Abdelkader ; Vizzini, Sébastien ; Ealet, Bénidicte ; Aufray, Bernard

Applied physics letters, 2010-11, Vol.97 (22), p.223109-223109-2 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
previous page 1 2 Resultados 3 4 5 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Data de Publicação 

De até
Refinar
  1. Antes de1973  (3.230)
  2. 1973Até1984  (6.876)
  3. 1985Até1996  (19.535)
  4. 1997Até2009  (46.387)
  5. Após 2009  (46.634)
  6. Mais opções open sub menu

Idioma 

  1. Inglês  (122.312)
  2. Japonês  (44.396)
  3. Norueguês  (21)
  4. Russo  (2)
  5. Sueco  (1)
  6. Mais opções open sub menu

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.