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Refinado por: Nome da Publicação: Applied Physics Letters remover assunto: Condensed Matter: Electronic Structure, Electrical, Magnetic, And Optical Properties remover
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1
ELECTRONIC-STRUCTURE OF CHIRAL GRAPHENE TUBULES
ELECTRONIC-STRUCTURE OF CHIRAL GRAPHENE TUBULES
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ELECTRONIC-STRUCTURE OF CHIRAL GRAPHENE TUBULES

SAITO, R ; FUJITA, M ; DRESSELHAUS, G ; DRESSELHAUS, MS

Applied physics letters, 1992-05, Vol.60 (18), p.2204-2206 [Periódico revisado por pares]

WOODBURY: Amer Inst Physics

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2
Magnetoresistance in magnetic manganese oxide with intrinsic antiferromagnetic spin structure
Magnetoresistance in magnetic manganese oxide with intrinsic antiferromagnetic spin structure
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Magnetoresistance in magnetic manganese oxide with intrinsic antiferromagnetic spin structure

CHAHARA, K.-I ; OHNO, T ; KASAI, M ; KOZONO, Y

Applied physics letters, 1993-10, Vol.63 (14), p.1990-1992 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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3
Use of quantum-well superlattices to obtain a high figure of merit from nonconventional thermoelectric materials
Use of quantum-well superlattices to obtain a high figure of merit from nonconventional thermoelectric materials
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Use of quantum-well superlattices to obtain a high figure of merit from nonconventional thermoelectric materials

HICKS, L. D ; HARMAN, T. C ; DRESSELHAUS, M. S

Applied physics letters, 1993-12, Vol.63 (23), p.3230-3232 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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4
VISIBLE ELECTROLUMINESCENCE FROM POROUS SILICON
VISIBLE ELECTROLUMINESCENCE FROM POROUS SILICON
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VISIBLE ELECTROLUMINESCENCE FROM POROUS SILICON

KOSHIDA, N ; KOYAMA, H

Applied physics letters, 1992-01, Vol.60 (3), p.347-349 [Periódico revisado por pares]

WOODBURY: Amer Inst Physics

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5
Oscillations up to 712 GHz in InAs/AlSb resonant-tunneling diodes
Oscillations up to 712 GHz in InAs/AlSb resonant-tunneling diodes
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Oscillations up to 712 GHz in InAs/AlSb resonant-tunneling diodes

Brown, E. R. ; Parker, C. D. ; Mahoney, L. J. ; Molvar, K. M. ; Soderstrom, J. R.

Applied physics letters, 1991-05, Vol.58 (20), p.2291-2293 [Periódico revisado por pares]

Legacy CDMS: American Institute of Physics

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6
Visible photoluminescence of Ge microcrystals embedded in SiO2 glassy matrices
Visible photoluminescence of Ge microcrystals embedded in SiO2 glassy matrices
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Visible photoluminescence of Ge microcrystals embedded in SiO2 glassy matrices

MAEDA, Y ; TSUKAMOTO, N ; YAZAWA, Y ; KANEMITSU, Y ; MASUMOTO, Y

Applied physics letters, 1991-12, Vol.59 (24), p.3168-3170 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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7
SURFACE SEGREGATION OF IN ATOMS DURING MOLECULAR-BEAM EPITAXY AND ITS INFLUENCE ON THE ENERGY-LEVELS IN INGAAS/GAAS QUANTUM-WELLS
SURFACE SEGREGATION OF IN ATOMS DURING MOLECULAR-BEAM EPITAXY AND ITS INFLUENCE ON THE ENERGY-LEVELS IN INGAAS/GAAS QUANTUM-WELLS
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SURFACE SEGREGATION OF IN ATOMS DURING MOLECULAR-BEAM EPITAXY AND ITS INFLUENCE ON THE ENERGY-LEVELS IN INGAAS/GAAS QUANTUM-WELLS

MURAKI, K ; FUKATSU, S ; SHIRAKI, Y ; ITO, R

Applied physics letters, 1992-08, Vol.61 (5), p.557-559 [Periódico revisado por pares]

WOODBURY: Amer Inst Physics

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8
Passivation and depassivation of silicon dangling bonds at the Si/SiO2 interface by atomic hydrogen
Passivation and depassivation of silicon dangling bonds at the Si/SiO2 interface by atomic hydrogen
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Passivation and depassivation of silicon dangling bonds at the Si/SiO2 interface by atomic hydrogen

CARTIER, E ; STATHIS, J. H ; BUCHANAN, D. A

Applied physics letters, 1993-09, Vol.63 (11), p.1510-1512 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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9
RAPID-THERMAL-OXIDIZED POROUS SI - THE SUPERIOR PHOTOLUMINESCENT SI
RAPID-THERMAL-OXIDIZED POROUS SI - THE SUPERIOR PHOTOLUMINESCENT SI
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RAPID-THERMAL-OXIDIZED POROUS SI - THE SUPERIOR PHOTOLUMINESCENT SI

PETROVAKOCH ; MUSCHIK, T ; KUX, A ; MEYER, BK ; KOCH, F ; LEHMANN

Applied physics letters, 1992-08, Vol.61 (8), p.943-945 [Periódico revisado por pares]

WOODBURY: Amer Inst Physics

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10
Bistable saturation in coupled quantum dots for quantum cellular automata
Bistable saturation in coupled quantum dots for quantum cellular automata
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Bistable saturation in coupled quantum dots for quantum cellular automata

LENT, C. S ; TOUGAW, P. D ; POROD, W

Applied physics letters, 1993-02, Vol.62 (7), p.714-716 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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