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Refinado por: Nome da Publicação: Journal Of Applied Physics remover
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Defect characterization in GaN: Possible influence of dislocations in the yellow-band features
Defect characterization in GaN: Possible influence of dislocations in the yellow-band features
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Defect characterization in GaN: Possible influence of dislocations in the yellow-band features

Polenta, L. ; Castaldini, A. ; Cavallini, A.

Journal of applied physics, 2007-09, Vol.102 (6) [Periódico revisado por pares]

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12
X-ray irradiation effects on the trapping properties of Cd1−xZnxTe detectors
X-ray irradiation effects on the trapping properties of Cd1−xZnxTe detectors
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

X-ray irradiation effects on the trapping properties of Cd1−xZnxTe detectors

Fraboni, B. ; Pasquini, L. ; Castaldini, A. ; Cavallini, A. ; Siffert, P.

Journal of applied physics, 2009-11, Vol.106 (9) [Periódico revisado por pares]

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13
Electrical activity of deep traps in high resistivity CdTe: Spectroscopic characterization
Electrical activity of deep traps in high resistivity CdTe: Spectroscopic characterization
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Electrical activity of deep traps in high resistivity CdTe: Spectroscopic characterization

Fraboni, B. ; Cavalcoli, D. ; Cavallini, A. ; Fochuk, P.

Journal of applied physics, 2009-04, Vol.105 (7), p.073705-073705-6 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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14
Ge clustering effects in Ge doped CdTe: Electrical and structural properties
Ge clustering effects in Ge doped CdTe: Electrical and structural properties
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ge clustering effects in Ge doped CdTe: Electrical and structural properties

Fraboni, B. ; Boscherini, F. ; Fochuk, P. ; Cavallini, A.

Journal of applied physics, 2011-09, Vol.110 (5), p.053706-053706-4 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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15
Irradiation effects on the compensation of semi-insulating GaAs for particle detector applications
Irradiation effects on the compensation of semi-insulating GaAs for particle detector applications
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Irradiation effects on the compensation of semi-insulating GaAs for particle detector applications

Cavallini, Anna ; Polenta, Laura

Journal of applied physics, 2005-07, Vol.98 (2), p.023708-023708-5 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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16
A model for the thermal degradation of metal/ ( p - Ga N ) interfacein GaN-based light emitting diodes
A model for the thermal degradation of metal/ ( p - Ga N ) interfacein GaN-based light emitting diodes
Material Type:
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A model for the thermal degradation of metal/ ( p - Ga N ) interfacein GaN-based light emitting diodes

Meneghini, M. ; Rigutti, L. ; Trevisanello, L. R. ; Cavallini, A. ; Meneghesso, G. ; Zanoni, E.

Journal of applied physics, 2008-03, Vol.103 (6), p.063703-063703-7 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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17
Defects introduced in cadmium telluride by γ irradiation
Defects introduced in cadmium telluride by γ irradiation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Defects introduced in cadmium telluride by γ irradiation

Cavallini, A. ; Fraboni, B. ; Dusi, W. ; Zanarini, M. ; Hage-Ali, M. ; Siffert, P.

Journal of applied physics, 2001-04, Vol.89 (8), p.4664-4666 [Periódico revisado por pares]

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18
X-ray irradiation effects on the trapping properties of Cd 1 − x Zn x Te detectors
X-ray irradiation effects on the trapping properties of Cd 1 − x Zn x Te detectors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

X-ray irradiation effects on the trapping properties of Cd 1 − x Zn x Te detectors

Fraboni, B. ; Pasquini, L. ; Castaldini, A. ; Cavallini, A. ; Siffert, P.

Journal of applied physics, 2009-11, Vol.106 (9), p.093713-093713-6 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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19
Surface photovoltage spectroscopy analyses of Cd 1 − x Zn x Te
Surface photovoltage spectroscopy analyses of Cd 1 − x Zn x Te
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Surface photovoltage spectroscopy analyses of Cd 1 − x Zn x Te

Cavalcoli, D. ; Fraboni, B. ; Cavallini, A.

Journal of applied physics, 2008-02, Vol.103 (4), p.043713-043713-4 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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20
Defect characterization in GaN: Possible influence of dislocationsin the yellow-band features
Defect characterization in GaN: Possible influence of dislocationsin the yellow-band features
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Defect characterization in GaN: Possible influence of dislocationsin the yellow-band features

Polenta, L. ; Castaldini, A. ; Cavallini, A.

Journal of applied physics, 2007-09, Vol.102 (6), p.063702-063702-5 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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