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Open-Type Magnetic Shield Structure and its Performance
Open-Type Magnetic Shield Structure and its Performance
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Open-Type Magnetic Shield Structure and its Performance

Fujikura, M. ; Segawa, K. ; Chikuma, K. ; Fujisaki, K. ; Mino, J. ; Morita, T. ; Saito, T. ; Hirano, H. ; Shinnoh, T.

IEEE transactions on magnetics, 2008-11, Vol.44 (11), p.4179-4182

New York, NY: IEEE

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12
Changes in effective work function of HfxRu1-x alloy gate electrode
Changes in effective work function of HfxRu1-x alloy gate electrode
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Changes in effective work function of HfxRu1-x alloy gate electrode

NABATAME, T ; NUNOSHIGE, Y ; KADOSHIMA, M ; TAKABA, H ; SEGAWA, K ; KIMURA, S ; SATAKE, H ; OTA, H ; OHISHI, T ; TORIUMI, A

Microelectronic engineering, 2008-07, Vol.85 (7), p.1524-1528 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier Science

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13
A widely tunable optical filter using ladder-type structure
A widely tunable optical filter using ladder-type structure
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A widely tunable optical filter using ladder-type structure

Matsuo, S. ; Yoshikuni, Y. ; Segawa, T. ; Ohiso, Y. ; Okamoto, H.

IEEE photonics technology letters, 2003-08, Vol.15 (8), p.1114-1116

New York: IEEE

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14
Particle image velocimetry and planar laser-induced fluorescence measurements on lobed jet mixing flows
Particle image velocimetry and planar laser-induced fluorescence measurements on lobed jet mixing flows
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Particle image velocimetry and planar laser-induced fluorescence measurements on lobed jet mixing flows

HU, H ; KOBAYASHI, T ; SAGA, T ; SEGAWA, S ; TANIGUCHI, N

Experiments in fluids, 2000-12, Vol.29 (7), p.S141-S157 [Periódico revisado por pares]

Heidelberg: Springer

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15
Digitally tunable ring laser using ladder filter and ring resonator
Digitally tunable ring laser using ladder filter and ring resonator
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Digitally tunable ring laser using ladder filter and ring resonator

Matsuo, S. ; Seok-Hwan Jeong ; Segawa, T. ; Okamoto, H. ; Kawaguchi, Y. ; Kondo, Y. ; Suzuki, H. ; Yoshikuni, Y.

IEEE journal of selected topics in quantum electronics, 2005-09, Vol.11 (5), p.924-930 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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16
The effect of oxygen in Ru gate electrode on effective work function of Ru/HfO2 stack structure
The effect of oxygen in Ru gate electrode on effective work function of Ru/HfO2 stack structure
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The effect of oxygen in Ru gate electrode on effective work function of Ru/HfO2 stack structure

NABATAME, T ; SEGAWA, K ; KADOSHIMA, M ; TAKABA, H ; IWAMOTO, K ; KIMURA, S ; NUNOSHIGE, Y ; SATAKE, H ; OHISHI, T ; TORIUMI, Akira

Materials science in semiconductor processing, 2006-12, Vol.9 (6), p.975-979 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Science

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17
Efficient fabrication process for superconducting integrated circuits using photosensitive polyimide insulation layers
Efficient fabrication process for superconducting integrated circuits using photosensitive polyimide insulation layers
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Efficient fabrication process for superconducting integrated circuits using photosensitive polyimide insulation layers

Kikuchi, K. ; Goto, M. ; Nakagawa, H. ; Segawa, S. ; Tokoro, K. ; Taino, T. ; Myoren, H. ; Takada, S. ; Aoyagi, M.

IEEE transactions on applied superconductivity, 2005-06, Vol.15 (2), p.94-97 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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18
New fabrication process for Josephson tunnel junctions using photosensitive polyimide insulation layer for superconducting integrated circuits
New fabrication process for Josephson tunnel junctions using photosensitive polyimide insulation layer for superconducting integrated circuits
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

New fabrication process for Josephson tunnel junctions using photosensitive polyimide insulation layer for superconducting integrated circuits

Kikuchi, K. ; Segawa, S. ; Eun-Sil Jung ; Nakagawa, H. ; Tokoro, K. ; Itatani, H. ; Aoyagi, M.

IEEE transactions on applied superconductivity, 2003-06, Vol.13 (2), p.119-122 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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19
Interlayer dielectric process for LSI circuits using positive photosensitive polyimide synthesized by block-copolymerization
Interlayer dielectric process for LSI circuits using positive photosensitive polyimide synthesized by block-copolymerization
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Interlayer dielectric process for LSI circuits using positive photosensitive polyimide synthesized by block-copolymerization

Aoyagi, Masahiro ; Segawa, Shigemasa ; Jung, EunSil ; Itatani, Taro ; Komuro, Masanori ; Sakamoto, Tsuenenori ; Itatani, Hiroshi ; Miyamura, Masataka ; Matsumoto, Shunichi

SPIE proceedings series, 2001, Vol.4345, p.1073-1078

Bellingham WA: SPIE

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20
Quarter-micrometer SPI (Self-aligned Pocket Implantation) MOSFET's and its application for low supply voltage operation
Quarter-micrometer SPI (Self-aligned Pocket Implantation) MOSFET's and its application for low supply voltage operation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Quarter-micrometer SPI (Self-aligned Pocket Implantation) MOSFET's and its application for low supply voltage operation

Hori, A. ; Hiroki, A. ; Nakaoka, H. ; Segawa, M. ; Hori, T.

IEEE transactions on electron devices, 1995-01, Vol.42 (1), p.78-86 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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