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Asplund
Asplund
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Asplund

Claes Caldenby Olof Hultin

Barcelona Gustavo Gili 1988

Localização: FAU - Fac. Arquitetura e Urbanismo    (724.9485 As67c e.2 ) e outros locais(Acessar)

2
High In-content InGaN nano-pyramids: Tuning crystal homogeneity by optimized nucleation of GaN seeds
High In-content InGaN nano-pyramids: Tuning crystal homogeneity by optimized nucleation of GaN seeds
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High In-content InGaN nano-pyramids: Tuning crystal homogeneity by optimized nucleation of GaN seeds

Bi, Zhaoxia ; Gustafsson, Anders ; Lenrick, Filip ; Lindgren, David ; Hultin, Olof ; Wallenberg, L. Reine ; Ohlsson, B. Jonas ; Monemar, Bo ; Samuelson, Lars

Journal of applied physics, 2018-01, Vol.123 (2) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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InGaN Platelets: Synthesis and Applications toward Green and Red Light-Emitting Diodes
InGaN Platelets: Synthesis and Applications toward Green and Red Light-Emitting Diodes
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InGaN Platelets: Synthesis and Applications toward Green and Red Light-Emitting Diodes

Bi, Zhaoxia ; Lenrick, Filip ; Colvin, Jovana ; Gustafsson, Anders ; Hultin, Olof ; Nowzari, Ali ; Lu, Taiping ; Wallenberg, Reine ; Timm, Rainer ; Mikkelsen, Anders ; Ohlsson, B. Jonas ; Storm, Kristian ; Monemar, Bo ; Samuelson, Lars

Nano letters, 2019-05, Vol.19 (5), p.2832-2839 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

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4
Synthesis of Doped InP Core–Shell Nanowires Evaluated Using Hall Effect Measurements
Synthesis of Doped InP Core–Shell Nanowires Evaluated Using Hall Effect Measurements
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Synthesis of Doped InP Core–Shell Nanowires Evaluated Using Hall Effect Measurements

Heurlin, Magnus ; Hultin, Olof ; Storm, Kristian ; Lindgren, David ; Borgström, Magnus T ; Samuelson, Lars

Nano letters, 2014-02, Vol.14 (2), p.749-753 [Periódico revisado por pares]

Washington, DC: American Chemical Society

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5
Simplifying Nanowire Hall Effect Characterization by Using a Three-Probe Device Design
Simplifying Nanowire Hall Effect Characterization by Using a Three-Probe Device Design
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Simplifying Nanowire Hall Effect Characterization by Using a Three-Probe Device Design

Hultin, Olof ; Otnes, Gaute ; Samuelson, Lars ; Storm, Kristian

Nano letters, 2017-02, Vol.17 (2), p.1121-1126 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

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6
Comparing Hall Effect and Field Effect Measurements on the Same Single Nanowire
Comparing Hall Effect and Field Effect Measurements on the Same Single Nanowire
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Comparing Hall Effect and Field Effect Measurements on the Same Single Nanowire

Hultin, Olof ; Otnes, Gaute ; Borgström, Magnus T ; Björk, Mikael ; Samuelson, Lars ; Storm, Kristian

Nano letters, 2016-01, Vol.16 (1), p.205-211 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

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7
Dislocation‐Free and Atomically Flat GaN Hexagonal Microprisms for Device Applications
Dislocation‐Free and Atomically Flat GaN Hexagonal Microprisms for Device Applications
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Dislocation‐Free and Atomically Flat GaN Hexagonal Microprisms for Device Applications

Khalilian, Maryam ; Bi, Zhaoxia ; Johansson, Jonas ; Lenrick, Filip ; Hultin, Olof ; Colvin, Jovana ; Timm, Rainer ; Wallenberg, Reine ; Ohlsson, Jonas ; Pistol, Mats‐Erik ; Gustafsson, Anders ; Samuelson, Lars

Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany), 2020-07, Vol.16 (30), p.e1907364-n/a [Periódico revisado por pares]

Weinheim: Wiley Subscription Services, Inc

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8
Electrical and optical evaluation of n-type doping in In x Ga (1-x) P nanowires
Electrical and optical evaluation of n-type doping in In x Ga (1-x) P nanowires
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Electrical and optical evaluation of n-type doping in In x Ga (1-x) P nanowires

Zeng, Xulu ; Mourão, Renato T ; Otnes, Gaute ; Hultin, Olof ; Dagytė, Vilgailė ; Heurlin, Magnus ; Borgström, Magnus T

Nanotechnology, 2018-06, Vol.29 (25), p.255701-255701 [Periódico revisado por pares]

England

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9
Study of carrier concentration in single InP nanowires by luminescence and Hall measurements
Study of carrier concentration in single InP nanowires by luminescence and Hall measurements
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Study of carrier concentration in single InP nanowires by luminescence and Hall measurements

Lindgren, David ; Hultin, Olof ; Heurlin, Magnus ; Storm, Kristian ; Borgström, Magnus T ; Samuelson, Lars ; Gustafsson, Anders

Nanotechnology, 2015-01, Vol.26 (4), p.045705-045705 [Periódico revisado por pares]

England: IOP Publishing

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10
Electrical and optical evaluation of n-type doping in InxGa(1−x)P nanowires
Electrical and optical evaluation of n-type doping in InxGa(1−x)P nanowires
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Electrical and optical evaluation of n-type doping in InxGa(1−x)P nanowires

Zeng, Xulu ; Mourão, Renato T ; Otnes, Gaute ; Hultin, Olof ; Dagyt, Vilgail ; Heurlin, Magnus ; Borgström, Magnus T

Nanotechnology, 2018-04, Vol.29 (25) [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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  1. Caldenby, C
  2. Hultin, O

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  1. Science & Technology
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