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1
A fotorefletância na caracterização de heteroestruturas e dispositivos de heteroestruturas semicondutoras
A fotorefletância na caracterização de heteroestruturas e dispositivos de heteroestruturas semicondutoras
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

A fotorefletância na caracterização de heteroestruturas e dispositivos de heteroestruturas semicondutoras

Soares, Júlio Antônio Nieri De Toledo

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 1997-10-16

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

2
A study on two-dimensional phase transitions in Langmuir monolayers of a carboxylic acid with a symmetrical triphenylbenzene ring system
A study on two-dimensional phase transitions in Langmuir monolayers of a carboxylic acid with a symmetrical triphenylbenzene ring system
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A study on two-dimensional phase transitions in Langmuir monolayers of a carboxylic acid with a symmetrical triphenylbenzene ring system

Patrycja Dynarowicz-Latka Anantharaman Dhanabalan; Osvaldo Novais de Oliveira Junior

Journal of Physical Chemistry B Washington v.103, p.5992-6000, 1999

Washington 1999

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD006172 )(Acessar)

3
A study on two-dimensional phase transitions in Langmuir monolayers of a carboxylic acid with a symmetrical triphenylbenzene ring system
A study on two-dimensional phase transitions in Langmuir monolayers of a carboxylic acid with a symmetrical triphenylbenzene ring system
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A study on two-dimensional phase transitions in Langmuir monolayers of a carboxylic acid with a symmetrical triphenylbenzene ring system

Patrycja Dynarowicz-Latka Anantharaman Dhanabalan; Osvaldo Novais de Oliveira Junior

Journal of Physical Chemistry B Washington v.103, p.5992-6000, 1999

Washington 1999

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD006172 )(Acessar)

4
Ab initio calculation of electronic properties of periodically 'SI'-'DELTA'-doped 'GA''AS'
Ab initio calculation of electronic properties of periodically 'SI'-'DELTA'-doped 'GA''AS'
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ab initio calculation of electronic properties of periodically 'SI'-'DELTA'-doped 'GA''AS'

T M Schmidt A Fazzio

New York v.51, n.12, p.7898-900, 1995 Physical Review B

New York 1995

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5
Ab initio calculation of electronic properties of periodically 'SI'-'DELTA'-doped 'GA''AS'
Ab initio calculation of electronic properties of periodically 'SI'-'DELTA'-doped 'GA''AS'
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ab initio calculation of electronic properties of periodically 'SI'-'DELTA'-doped 'GA''AS'

T M Schmidt A Fazzio

New York v.51, n.12, p.7898-900, 1995 Physical Review B

New York 1995

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6
Ab initio Monte Carlo simulations applied to a `Si IND.5´ cluster
Ab initio Monte Carlo simulations applied to a `Si IND.5´ cluster
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ab initio Monte Carlo simulations applied to a `Si IND.5´ cluster

Luana S Pedroza Antonio Jose Roque da Silva

Physical Review B v. 75, n. 24, p. 245331/1-245331/7, 2007

Woodbury 2007

Acesso online

7
Ab initio Monte Carlo simulations applied to a `Si IND.5´ cluster
Ab initio Monte Carlo simulations applied to a `Si IND.5´ cluster
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ab initio Monte Carlo simulations applied to a `Si IND.5´ cluster

Luana S Pedroza Antonio Jose Roque da Silva

Physical Review B v. 75, n. 24, p. 245331/1-245331/7, 2007

Woodbury 2007

Acesso online

8
Ab initio study of n impurity in amorphous germanium
Ab initio study of n impurity in amorphous germanium
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ab initio study of n impurity in amorphous germanium

P P M Venezuela A Fazzio

New York v.77, n.3 , p.546-9, 1996 Physical Review Letters

New York 1996

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9
Ab initio study of n impurity in amorphous germanium
Ab initio study of n impurity in amorphous germanium
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ab initio study of n impurity in amorphous germanium

P P M Venezuela A Fazzio

New York v.77, n.3 , p.546-9, 1996 Physical Review Letters

New York 1996

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10
Absolute thermal lens method to determine fluorescence quantum efficiency and concentration quenching of solids
Absolute thermal lens method to determine fluorescence quantum efficiency and concentration quenching of solids
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Absolute thermal lens method to determine fluorescence quantum efficiency and concentration quenching of solids

Mauro Luciano Baesso A C Bento; A A Andrade; J. A Sampaio; E Pecoraro; Luiz Antônio de Oliveira Nunes; Tomaz Catunda; S Gama

Physical Review B New York v. 57, n. 17, p. 10545-10549, 1998

New York 1998

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD005189 )(Acessar)

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Deste Autor:

  1. Fazzio, A
  2. Frota-Pessoa, S
  3. Scolfaro, L
  4. Silva, A
  5. Nunes, L

Neste Assunto:

  1. Estrutura Eletrônica
  2. Semicondutores
  3. Mecânica Estatística
  4. Materiais Magnéticos
  5. Superfície Física

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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