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1
Avaliação das características físico-químicas e elétricas de filmes de SiO2 depositados por PECVD a partir da reação entre O2 e TEOS
Avaliação das características físico-químicas e elétricas de filmes de SiO2 depositados por PECVD a partir da reação entre O2 e TEOS
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Relatório Técnico 		Adicionar ao Meu Espaço

Avaliação das características físico-químicas e elétricas de filmes de SiO2 depositados por PECVD a partir da reação entre O2 e TEOS

A R Cardoso Claus Martin Hasenack

São Paulo EPUSP 1997

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2
Deposicao de nitreto de silicio por lpcvd
Deposicao de nitreto de silicio por lpcvd
Material Type:
Relatório Técnico 		Adicionar ao Meu Espaço

Deposicao de nitreto de silicio por lpcvd

Luís da Silva Zambom Claus Martin Hasenack

São Paulo Epusp 1995

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3
'SI' / 'SI''O IND.2' interface asperities their effect on breakdown characteristics and on electric field distribution within thin gate oxides
'SI' / 'SI''O IND.2' interface asperities their effect on breakdown characteristics and on electric field distribution within thin gate oxides
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

'SI' / 'SI''O IND.2' interface asperities their effect on breakdown characteristics and on electric field distribution within thin gate oxides

M C V Lopes Claus Martin Hasenack; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica (7. 1992 São Paulo)

Anais São Paulo : Sbmicro/Epusp, 1992

Sao Paulo Sbmicro/Epusp 1992

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4
Estudo da influencia do ambiente no processo de silicetacao do titanio realizado em fornos de rtp
Estudo da influencia do ambiente no processo de silicetacao do titanio realizado em fornos de rtp
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo da influencia do ambiente no processo de silicetacao do titanio realizado em fornos de rtp

Y P V Costa Claus Martin Hasenack; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica (7. 1992 São Paulo)

Anais São Paulo : Sbmicro/Epusp, 1992

São Paulo Sbmicro/Epusp 1992

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5
Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom)
Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom)

Sebastião Gomes dos Santos Filho 1962- Claus Martin Hasenack; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

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6
Impact of silicon surface characteristics on gate oxide breakdown characteristics and its correlation with 'SI'o void growth
Impact of silicon surface characteristics on gate oxide breakdown characteristics and its correlation with 'SI'o void growth
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Impact of silicon surface characteristics on gate oxide breakdown characteristics and its correlation with 'SI'o void growth

Claus Martin Hasenack M Heyns; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica (5. 1990 Campinas)

Anais Campinas : Sbmicro/Spie, 1990

Campinas Sbmicro/Spie 1990

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7
Trxfa uma tecnica de analise somente para microeletronica
Trxfa uma tecnica de analise somente para microeletronica
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Trxfa uma tecnica de analise somente para microeletronica

Claus Martin Hasenack N G Leite; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica (9. 1994 Rio de Janeiro)

Anais Rio de Janeiro : Sbmicro/Ufrj, 1994

Rio de Janeiro Sbmicro/Ufrj 1994

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8
Analise do processo de limpeza de laminas de silicio por trxfa
Analise do processo de limpeza de laminas de silicio por trxfa
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Analise do processo de limpeza de laminas de silicio por trxfa

N G Leite Claus Martin Hasenack; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica (9. 1994 Rio de Janeiro)

Anais Rio de Janeiro : Sbmicro/Ufrj, 1994

Rio de Janeiro Sbmicro/Ufrj 1994

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9
Simulacao numerica da evolucao da rugosidade da interface 'SI'-'SI''O IND.2' sob processo de oxidacao termica de silicio
Simulacao numerica da evolucao da rugosidade da interface 'SI'-'SI''O IND.2' sob processo de oxidacao termica de silicio
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Simulacao numerica da evolucao da rugosidade da interface 'SI'-'SI''O IND.2' sob processo de oxidacao termica de silicio

L G Araes Claus Martin Hasenack; Simposio de Iniciacao Cientifica da Universidade de São Paulo (3. 1995 São Carlos)

Sao Paulo : Usp, 1995 Resumos

Sao Paulo Usp 1995

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10
Medida da rugosidade superficial de laminas de silicio empregando a tecnica de espalhamento elastico de luz laser hene
Medida da rugosidade superficial de laminas de silicio empregando a tecnica de espalhamento elastico de luz laser hene
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Medida da rugosidade superficial de laminas de silicio empregando a tecnica de espalhamento elastico de luz laser hene

J C Souza Filho Sebastião Gomes dos Santos Filho 1962-; Claus Martin Hasenack; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica (8. 1993 Campinas)

Anais Campinas : Sbmicro, 1993

Campinas Sbmicro 1993

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