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Phonon anharmonicity in exfoliated black arsenic flakes
Phonon anharmonicity in exfoliated black arsenic flakes
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Phonon anharmonicity in exfoliated black arsenic flakes

Wang, Zihan ; Wang, Yongsong ; Guo, Xiao ; You, Siwen ; Niu, Tianchao ; Zhong, Mianzeng ; Xia, Qinglin ; Huang, Han

Applied physics letters, 2022-09, Vol.121 (12) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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2
Formation of cylindrical n / p junction diodes by arsenic enhanced diffusion along interfacial misfit dislocations in p-type epitaxial 'SI' / 'SI' ('Ge')
Formation of cylindrical n / p junction diodes by arsenic enhanced diffusion along interfacial misfit dislocations in p-type epitaxial 'SI' / 'SI' ('Ge')
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Formation of cylindrical n / p junction diodes by arsenic enhanced diffusion along interfacial misfit dislocations in p-type epitaxial 'SI' / 'SI' ('Ge')

Nelson Liebentritt de Almeida Braga 1962- A Buczkowski; H R Kirk; G A Rozgonyi

New York v.64, n.11, p.1410-2, mar. 1994 Applied Physics Letters

New York 1994

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3
Formation of cylindrical n / p junction diodes by arsenic enhanced diffusion along interfacial misfit dislocations in p-type epitaxial 'SI' / 'SI' ('Ge')
Formation of cylindrical n / p junction diodes by arsenic enhanced diffusion along interfacial misfit dislocations in p-type epitaxial 'SI' / 'SI' ('Ge')
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Formation of cylindrical n / p junction diodes by arsenic enhanced diffusion along interfacial misfit dislocations in p-type epitaxial 'SI' / 'SI' ('Ge')

Nelson Liebentritt de Almeida Braga 1962- A Buczkowski; H R Kirk; G A Rozgonyi

New York v.64, n.11, p.1410-2, mar. 1994 Applied Physics Letters

New York 1994

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4
Amplification of arsenic sensitivity in functionalized zinc oxide field effect transistor through optimization of gate electrostatics
Amplification of arsenic sensitivity in functionalized zinc oxide field effect transistor through optimization of gate electrostatics
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Amplification of arsenic sensitivity in functionalized zinc oxide field effect transistor through optimization of gate electrostatics

Sett, Avik ; Sarkar, Lisa ; Bhattacharyya, Tarun Kanti

Applied physics letters, 2022-11, Vol.121 (20) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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5
Vacancy-arsenic clusters in germanium
Vacancy-arsenic clusters in germanium
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Vacancy-arsenic clusters in germanium

Chroneos, A. ; Grimes, R. W. ; Uberuaga, B. P. ; Brotzmann, S. ; Bracht, H.

Applied physics letters, 2007-11, Vol.91 (19), p.192106-192106-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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6
High p-type doping, mobility, and photocarrier lifetime in arsenic-doped CdTe single crystals
High p-type doping, mobility, and photocarrier lifetime in arsenic-doped CdTe single crystals
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High p-type doping, mobility, and photocarrier lifetime in arsenic-doped CdTe single crystals

Nagaoka, Akira ; Kuciauskas, Darius ; McCoy, Jedidiah ; Scarpulla, Michael A.

Applied physics letters, 2018-05, Vol.112 (19) [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics (AIP)

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7
Doping properties of cadmium-rich arsenic-doped CdTe single crystals: Evidence of metastable AX behavior
Doping properties of cadmium-rich arsenic-doped CdTe single crystals: Evidence of metastable AX behavior
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Doping properties of cadmium-rich arsenic-doped CdTe single crystals: Evidence of metastable AX behavior

Nagaoka, Akira ; Kuciauskas, Darius ; Scarpulla, Michael A.

Applied physics letters, 2017-12, Vol.111 (23) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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8
Electrical compensation via vacancy–donor complexes in arsenic-implanted and laser-annealed germanium
Electrical compensation via vacancy–donor complexes in arsenic-implanted and laser-annealed germanium
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Electrical compensation via vacancy–donor complexes in arsenic-implanted and laser-annealed germanium

Kalliovaara, T. ; Slotte, J. ; Makkonen, I. ; Kujala, J. ; Tuomisto, F. ; Milazzo, R. ; Impellizzeri, G. ; Fortunato, G. ; Napolitani, E.

Applied physics letters, 2016-10, Vol.109 (18) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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9
Large lattice-relaxation-induced intrinsic shallow p-type characteristics in monolayer black phosphorus and black arsenic
Large lattice-relaxation-induced intrinsic shallow p-type characteristics in monolayer black phosphorus and black arsenic
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Large lattice-relaxation-induced intrinsic shallow p-type characteristics in monolayer black phosphorus and black arsenic

Qiu, Chen ; Cao, Ruyue ; Wang, Fei ; Deng, Hui-Xiong

Applied physics letters, 2021-02, Vol.118 (8) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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10
Size dependent arsenic volatilization in ErAs nanoparticle powders
Size dependent arsenic volatilization in ErAs nanoparticle powders
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Size dependent arsenic volatilization in ErAs nanoparticle powders

Lewis, Matthew R. ; Remy, Roddel A. ; Tew, Bo E. ; Zide, Joshua M. O.

Applied physics letters, 2018-10, Vol.113 (16) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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