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1
One-step substrate nanofabrication and patterning of nanoparticles by lithographically controlled etching
One-step substrate nanofabrication and patterning of nanoparticles by lithographically controlled etching
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One-step substrate nanofabrication and patterning of nanoparticles by lithographically controlled etching

Bianchi, M ; Herrero, D Limones ; Valle, F ; Greco, P ; Ingo, G M ; Kaciulis, S ; Biscarini, F ; Cavallini, M

Nanotechnology, 2011-09, Vol.22 (35), p.355301-1-8 [Periódico revisado por pares]

England

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2
Immobilization of monolayer protected lipophilic gold nanorods on a glass surface
Immobilization of monolayer protected lipophilic gold nanorods on a glass surface
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Immobilization of monolayer protected lipophilic gold nanorods on a glass surface

Ori, Guido ; Gentili, Denis ; Cavallini, Massimiliano ; Franchini, Mauro Comes ; Zapparoli, Mauro ; Montorsi, Monia ; Siligardi, Cristina

Nanotechnology, 2012-02, Vol.23 (5), p.055605-1-5 [Periódico revisado por pares]

England: IOP Publishing

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3
Strain distribution and defect analysis in III-nitrides by dynamical AFM analysis
Strain distribution and defect analysis in III-nitrides by dynamical AFM analysis
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Strain distribution and defect analysis in III-nitrides by dynamical AFM analysis

Minj, Albert ; Cavalcoli, Daniela ; Cavallini, Anna ; Gamarra, Piero ; di Forte Poisson, Marie-Antoinette

Nanotechnology, 2013-04, Vol.24 (14), p.145701-145701 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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4
Structural and morphological studies on wet-etched InAlGaN barrier HEMT structures
Structural and morphological studies on wet-etched InAlGaN barrier HEMT structures
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Structural and morphological studies on wet-etched InAlGaN barrier HEMT structures

Brazzini, T ; Tadjer, M J ; Ga evi ; Pandey, S ; Cavallini, A ; Calle, F

Semiconductor science and technology, 2013-05, Vol.28 (5), p.55007 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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5
Influence of surface pre-treatment on the electronic levels in silicon MaWCE nanowires
Influence of surface pre-treatment on the electronic levels in silicon MaWCE nanowires
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Influence of surface pre-treatment on the electronic levels in silicon MaWCE nanowires

Venturi, Giulia ; Castaldini, Antonio ; Schleusener, Alexander ; Sivakov, Vladimir ; Cavallini, Anna

Nanotechnology, 2015-05, Vol.26 (19), p.195705-195705 [Periódico revisado por pares]

England: IOP Publishing

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6
Electronic levels in silicon MaWCE nanowires: evidence of a limited diffusion of Ag
Electronic levels in silicon MaWCE nanowires: evidence of a limited diffusion of Ag
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Electronic levels in silicon MaWCE nanowires: evidence of a limited diffusion of Ag

Venturi, Giulia ; Castaldini, Antonio ; Schleusener, Alexander ; Sivakov, Vladimir ; Cavallini, Anna

Nanotechnology, 2015-10, Vol.26 (42), p.425702-425702 [Periódico revisado por pares]

England: IOP Publishing

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7
Thermionic emission from the 2DEG assisted by image-charge-induced barrier lowering in AlInN/AlN/GaN heterostructures
Thermionic emission from the 2DEG assisted by image-charge-induced barrier lowering in AlInN/AlN/GaN heterostructures
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Thermionic emission from the 2DEG assisted by image-charge-induced barrier lowering in AlInN/AlN/GaN heterostructures

Minj, A ; Cavalcoli, D ; Cavallini, A

Nanotechnology, 2012-03, Vol.23 (11), p.115701-1-6 [Periódico revisado por pares]

England: IOP Publishing

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8
Photocurrent spectroscopy evidence for stress-induced recombination centres in quantum wells of InGaN/GaN-based light-emitting diodes
Photocurrent spectroscopy evidence for stress-induced recombination centres in quantum wells of InGaN/GaN-based light-emitting diodes
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Photocurrent spectroscopy evidence for stress-induced recombination centres in quantum wells of InGaN/GaN-based light-emitting diodes

Rigutti, L ; Castaldini, A ; Meneghini, M ; Cavallini, A

Semiconductor science and technology, 2008-02, Vol.23 (2), p.025004 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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9
Redistribution of multi-quantum well states induced by current stress in InxGa1−xN/GaN light-emitting diodes
Redistribution of multi-quantum well states induced by current stress in InxGa1−xN/GaN light-emitting diodes
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Redistribution of multi-quantum well states induced by current stress in InxGa1−xN/GaN light-emitting diodes

Rigutti, L ; Basiricò, L ; Cavallini, A ; Meneghini, M ; Meneghesso, G ; Zanoni, E

Semiconductor science and technology, 2009-05, Vol.24 (5), p.055015-055015 (4) [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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10
The electrical conductivity of hydrogenated nanocrystalline silicon investigated at the nanoscale
The electrical conductivity of hydrogenated nanocrystalline silicon investigated at the nanoscale
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

The electrical conductivity of hydrogenated nanocrystalline silicon investigated at the nanoscale

Cavalcoli, Daniela ; Detto, Francesca ; Rossi, Marco ; Tomasi, Andrea ; Cavallini, Anna

Nanotechnology, 2010-01, Vol.21 (4), p.045702-045702 [Periódico revisado por pares]

England: IOP Publishing

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