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InAs/InGaAsSb/GaSb Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors
InAs/InGaAsSb/GaSb Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors
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InAs/InGaAsSb/GaSb Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors

Memisevic, Elvedin ; Svensson, Johannes ; Lind, Erik ; Wernersson, Lars-Erik

IEEE transactions on electron devices, 2017-11, Vol.64 (11), p.4746-4751 [Periódico revisado por pares]

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Capacitance and Mobility Evaluation for Normally-Off Fully-Vertical GaN FinFETs
Capacitance and Mobility Evaluation for Normally-Off Fully-Vertical GaN FinFETs
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Capacitance and Mobility Evaluation for Normally-Off Fully-Vertical GaN FinFETs

Gribisch, Philipp ; Carrascon, Rosalia Delgado ; Darakchieva, Vanya ; Lind, Erik

IEEE transactions on electron devices, 2023-08, Vol.70 (8), p.1-7 [Periódico revisado por pares]

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Tuning of Quasi-Vertical GaN FinFETs Fabricated on SiC Substrates
Tuning of Quasi-Vertical GaN FinFETs Fabricated on SiC Substrates
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Tuning of Quasi-Vertical GaN FinFETs Fabricated on SiC Substrates

Gribisch, Philipp ; Carrascon, Rosalia Delgado ; Darakchieva, Vanya ; Lind, Erik

IEEE transactions on electron devices, 2023-05, Vol.70 (5), p.1-7 [Periódico revisado por pares]

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Radio-Frequency Characterization of Selectively Regrown InGaAs Lateral Nanowire MOSFETs
Radio-Frequency Characterization of Selectively Regrown InGaAs Lateral Nanowire MOSFETs
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Radio-Frequency Characterization of Selectively Regrown InGaAs Lateral Nanowire MOSFETs

Zota, Cezar B. ; Roll, Guntrade ; Wernersson, Lars-Erik ; Lind, Erik

IEEE transactions on electron devices, 2014-12, Vol.61 (12), p.4078-4083 [Periódico revisado por pares]

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GaN-on-Si Power Technology: Devices and Applications
GaN-on-Si Power Technology: Devices and Applications
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GaN-on-Si Power Technology: Devices and Applications

Chen, Kevin J. ; Haberlen, Oliver ; Lidow, Alex ; Chun Lin Tsai ; Ueda, Tetsuzo ; Uemoto, Yasuhiro ; Yifeng Wu

IEEE transactions on electron devices, 2017-03, Vol.64 (3), p.779-795 [Periódico revisado por pares]

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The Past, the Present, and the Future of Ferroelectric Memories
The Past, the Present, and the Future of Ferroelectric Memories
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The Past, the Present, and the Future of Ferroelectric Memories

Mikolajick, T. ; Schroeder, U. ; Slesazeck, S.

IEEE transactions on electron devices, 2020-04, Vol.67 (4), p.1-10 [Periódico revisado por pares]

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Experimental Demonstration and Tolerancing of a Large-Scale Neural Network (165 000 Synapses) Using Phase-Change Memory as the Synaptic Weight Element
Experimental Demonstration and Tolerancing of a Large-Scale Neural Network (165 000 Synapses) Using Phase-Change Memory as the Synaptic Weight Element
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Experimental Demonstration and Tolerancing of a Large-Scale Neural Network (165 000 Synapses) Using Phase-Change Memory as the Synaptic Weight Element

Burr, Geoffrey W. ; Shelby, Robert M. ; Sidler, Severin ; di Nolfo, Carmelo ; Junwoo Jang ; Boybat, Irem ; Shenoy, Rohit S. ; Narayanan, Pritish ; Virwani, Kumar ; Giacometti, Emanuele U. ; Kurdi, Bulent N. ; Hyunsang Hwang

IEEE transactions on electron devices, 2015-11, Vol.62 (11), p.3498-3507 [Periódico revisado por pares]

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Critical Role of Interlayer in Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric FET Nonvolatile Memory Performance
Critical Role of Interlayer in Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric FET Nonvolatile Memory Performance
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Critical Role of Interlayer in Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric FET Nonvolatile Memory Performance

Ni, Kai ; Sharma, Pankaj ; Zhang, Jianchi ; Jerry, Matthew ; Smith, Jeffery A. ; Tapily, Kandabara ; Clark, Robert ; Mahapatra, Souvik ; Datta, Suman

IEEE transactions on electron devices, 2018-06, Vol.65 (6), p.2461-2469 [Periódico revisado por pares]

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3-D Memristor Crossbars for Analog and Neuromorphic Computing Applications
3-D Memristor Crossbars for Analog and Neuromorphic Computing Applications
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3-D Memristor Crossbars for Analog and Neuromorphic Computing Applications

Adam, Gina C. ; Hoskins, Brian D. ; Prezioso, Mirko ; Merrikh-Bayat, Farnood ; Chakrabarti, Bhaswar ; Strukov, Dmitri B.

IEEE transactions on electron devices, 2017-01, Vol.64 (1), p.312-318 [Periódico revisado por pares]

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10
Phase-Change Memory-Towards a Storage-Class Memory
Phase-Change Memory-Towards a Storage-Class Memory
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Phase-Change Memory-Towards a Storage-Class Memory

Fong, Scott W. ; Neumann, Christopher M. ; Wong, H.-S Philip

IEEE transactions on electron devices, 2017-11, Vol.64 (11), p.4374-4385 [Periódico revisado por pares]

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