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Ion-implanted and permalloy hybrid magnetic bubble memory devices
Ion-implanted and permalloy hybrid magnetic bubble memory devices
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Ion-implanted and permalloy hybrid magnetic bubble memory devices

Sugita, Y. ; Suzuki, R. ; Ikeda, T. ; Takeuchi, T. ; Kodama, N. ; Takeshita, M. ; Imura, R. ; Satoh, T. ; Umezaki, H. ; Koyama, N.

IEEE transactions on magnetics, 1986-07, Vol.22 (4), p.239-246

New York, NY: IEEE

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640 × 400 green light-emitting TFEL display
640 × 400 green light-emitting TFEL display
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640 × 400 green light-emitting TFEL display

Nunomura, K. ; Koyama, N. ; Ishiko, M. ; Sano, Y. ; Sakuma, S. ; Fujita, Y.

Displays, 1989, Vol.10 (1), p.41-42 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier B.V

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13
Simulation of magnetization distribution in magnetoresistive film under a longitudinal bias field
Simulation of magnetization distribution in magnetoresistive film under a longitudinal bias field
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Simulation of magnetization distribution in magnetoresistive film under a longitudinal bias field

ISHIKAWA, C ; SUZUKI, K ; KOYAMA, N ; YOSHIDA, K ; SUGITA, Y ; SHINAGAWA, K ; NAKATANI, Y ; HAYASHI, N

Journal of applied physics, 1993-11, Vol.74 (9), p.5666-5671 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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14
X-ray projection lithography using a Fresnel zone plate
X-ray projection lithography using a Fresnel zone plate
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X-ray projection lithography using a Fresnel zone plate

KOYAMA, N ; TSUYUZAKI, H ; KURODA, K ; SHIBAYAMA, A

Japanese Journal of Applied Physics, 1995, Vol.34 (12B), p.6748-6753 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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15
Requirement of Na + in flagellar rotation and amino-acid transport in a facultatively alkalophilic Bacillus
Requirement of Na + in flagellar rotation and amino-acid transport in a facultatively alkalophilic Bacillus
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Requirement of Na + in flagellar rotation and amino-acid transport in a facultatively alkalophilic Bacillus

Sugiyama, Shigeru ; Matsukura, Hiroshi ; Koyama, Noriyuki ; Nosoh, Yoshiaki ; Imae, Yasuo

Biochimica et biophysica acta. Bioenergetics, 1986-11, Vol.852 (1), p.38-45 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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16
Patterning characteristics under small variations of the mask and wafer in SR lithography
Patterning characteristics under small variations of the mask and wafer in SR lithography
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Patterning characteristics under small variations of the mask and wafer in SR lithography

FUKUDA, M ; KOYAMA, N ; TSUYUZAKI, H ; SUZUKI, M ; ISHIHARA, S

Microelectronic engineering, 1996, Vol.30 (1-4), p.203-206 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier Science

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17
Potential scattering and spin-exchange cross sections in atomic hydrogen at very low energies
Potential scattering and spin-exchange cross sections in atomic hydrogen at very low energies
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Potential scattering and spin-exchange cross sections in atomic hydrogen at very low energies

KOYAMA, N ; BAIRD, J. C

Journal of the Physical Society of Japan, 1986, Vol.55 (3), p.801-805 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Institute of Pure and Applied Physics

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Catalytic activity of poly(amino-organosiloxane)s
Catalytic activity of poly(amino-organosiloxane)s
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Catalytic activity of poly(amino-organosiloxane)s

Koyama, Noboru ; Ueno, Yukihiko ; Sekiyama, Yasunori ; Ikeda, Koji ; Sekine, Yoshiro

Polymer (Guilford), 1986-02, Vol.27 (2), p.293-298 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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19
Strict LMI conditions for stability and stabilization of discrete-time descriptor systems
Strict LMI conditions for stability and stabilization of discrete-time descriptor systems
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Strict LMI conditions for stability and stabilization of discrete-time descriptor systems

Guisheng Zhai ; Koyama, N. ; Bruzelius, F. ; Yoshida, M.

Proceedings of the 2004 IEEE International Symposium on Intelligent Control, 2004, 2004, p.495-499

Piscataway, NJ: IEEE

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Planar process for 16 Mb memory devices using thermal reflow-type polyimide
Planar process for 16 Mb memory devices using thermal reflow-type polyimide
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Planar process for 16 Mb memory devices using thermal reflow-type polyimide

UMEZAKI, H ; KOYAMA, N ; SUZUKI, R ; MATSUYAMA, H ; SHOOJI, F

Journal of the Electrochemical Society, 1989, Vol.136 (8), p.2357-2360 [Periódico revisado por pares]

Pennington, NJ: Electrochemical Society

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