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Real-time determination of the segregation strength of indium atoms in InGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy
Real-time determination of the segregation strength of indium atoms in InGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy
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Real-time determination of the segregation strength of indium atoms in InGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy

S Martini A. A Quivy (Alain André); Euzi Conceicao Fernandes da Silva; J. R Leite (José Roberto)

Applied Physics Letters Menasha v. 81, n. 15, p. 2863-2865, 2002

Menasha 2002

Acesso online

2
Real-time determination of the segregation strength of indium atoms in InGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy
Real-time determination of the segregation strength of indium atoms in InGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy
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Real-time determination of the segregation strength of indium atoms in InGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy

S Martini A. A Quivy (Alain André); Euzi Conceicao Fernandes da Silva; J. R Leite (José Roberto)

Applied Physics Letters Menasha v. 81, n. 15, p. 2863-2865, 2002

Menasha 2002

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3
InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu'
InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu'
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InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu'

M J da Silva A. A Quivy (Alain André); S Martini; T E Lamas; Euzi Conceicao Fernandes da Silva; J. R Leite (José Roberto)

Applied Physics Letters Woodbury v. 82, n. 16, p. 2646-2648, 2003

Woodbury 2003

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4
InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu'
InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu'
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InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu'

M J da Silva A. A Quivy (Alain André); S Martini; T E Lamas; Euzi Conceicao Fernandes da Silva; J. R Leite (José Roberto)

Applied Physics Letters Woodbury v. 82, n. 16, p. 2646-2648, 2003

Woodbury 2003

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Neste Assunto:

  1. Materiais
  2. Filmes Finos
  3. Estrutura Dos Materiais
  4. Semicondutores
  5. Superfície Física

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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