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1	Material Type: Artículo		Temperature evolution of defects and atomic ordering in Si1−xGex islands on Si(001) Malachias, A ; Stoffel, M ; Merdzhanova, T ; Schmidt, O G ; Renaud, G ; Metzger, T H ; Schülli, T U Journal of applied physics, 2016-02, Vol.119 (8) [Revista revisada por pares] Melville: American Institute of Physics Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
2	Material Type: Artículo		Structural study of self-assembled Co nanoparticles Chushkin, Y. ; Ulmeanu, M. ; Luby, S. ; Majkova, E. ; Kostic, I. ; Klang, P. ; Holý, V. ; Bochnı́ček, Z. ; Giersig, M. ; Hilgendorff, M. ; Metzger, T. H. Journal of applied physics, 2003-12, Vol.94 (12), p.7743-7748 [Revista revisada por pares] Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
3	Material Type: Artículo		Structural relation between Si and SiC formed by carbon ion implantation Eichhorn, F. ; Schell, N. ; Mücklich, A. ; Metzger, H. ; Matz, W. ; Kögler, R. Journal of applied physics, 2002-02, Vol.91 (3), p.1287-1292 [Revista revisada por pares] Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
4	Material Type: Artículo		Influence of preamorphization on the structural properties of ultrashallow arsenic implants in silicon Capello, L. ; Metzger, T. H. ; Werner, M. ; van den Berg, J. A. ; Servidori, M. ; Ottaviano, L. ; Bongiorno, C. ; Mannino, G. ; Feudel, T. ; Herden, M. ; Holý, V. Journal of applied physics, 2006-11, Vol.100 (10), p.103533-103533-10 [Revista revisada por pares] American Institute of Physics Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
5	Material Type: Artículo		Grazing incidence small angle x-ray scattering from free-standing nanostructures Rauscher, Markus ; Paniago, Rogerio ; Metzger, Hartmut ; Kovats, Zoltan ; Domke, Jan ; Peisl, Johann ; Pfannes, Hans-Dieter ; Schulze, Jörg ; Eisele, Ignaz Journal of applied physics, 1999-12, Vol.86 (12), p.6763-6769 [Revista revisada por pares] Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
6	$Depth-resolved measurement of lattice relaxation in Ga1-xInxAs/GaAs strained layer superlattices by means of grazing-incidence x-ray diffraction$ $Depth-resolved measurement of lattice relaxation in Ga1-xInxAs/GaAs strained layer superlattices by means of grazing-incidence x-ray diffraction$ Material Type: Artículo		Depth-resolved measurement of lattice relaxation in Ga1-xInxAs/GaAs strained layer superlattices by means of grazing-incidence x-ray diffraction PIETSCH, U ; METZGER, H ; RUGEL, S ; JENICHEN, B ; ROBINSON, I. K Journal of applied physics, 1993-08, Vol.74 (4), p.2381-2387 [Revista revisada por pares] Woodbury, NY: American Institute of Physics Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
7	Material Type: Artículo		Investigations of semiconductor superlattices by depth-sensitive x-ray methods RHAN, H ; PIETSCH, U ; RUGEL, S ; METZGER, H ; PEISL, J Journal of applied physics, 1993-07, Vol.74 (1), p.146-152 [Revista revisada por pares] Woodbury, NY: American Institute of Physics Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
8	Material Type: Artículo		Temperature evolution of defects and atomic ordering in Si1− x Ge x islands on Si(001) Richard, M.-I. ; Malachias, A. ; Stoffel, M. ; Merdzhanova, T. ; Schmidt, O. G. ; Renaud, G. ; Metzger, T. H. ; Schülli, T. U. Journal of applied physics, 2016-02, Vol.119 (8) [Revista revisada por pares] Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
9	Material Type: Artículo		Measurement of Si 311 defect properties using x-ray scattering Nordlund, K. ; Metzger, T. H. ; Malachias, A. ; Capello, L. ; Calvo, P. ; Claverie, A. ; Cristiano, F. Journal of applied physics, 2005-10, Vol.98 (7), p.073529-073529-5 [Revista revisada por pares] American Institute of Physics Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
10	Material Type: Artículo		X-ray analysis of temperature induced defect structures in boron implanted silicon Sztucki, M. ; Metzger, T. H. ; Kegel, I. ; Tilke, A. ; Rouvière, J. L. ; Lübbert, D. ; Arthur, J. ; Patel, J. R. Journal of applied physics, 2002-10, Vol.92 (7), p.3694-3703 [Revista revisada por pares] Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por

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