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Doping-Less Tunnel Field Effect Transistor: Design and Investigation
Doping-Less Tunnel Field Effect Transistor: Design and Investigation
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Doping-Less Tunnel Field Effect Transistor: Design and Investigation

Kumar, M. Jagadesh ; Janardhanan, Sindhu

IEEE transactions on electron devices, 2013-10, Vol.60 (10), p.3285-3290 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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A Cascode Feedback Bias Technique for Linear CMOS Power Amplifiers in a Multistage Cascode Topology
A Cascode Feedback Bias Technique for Linear CMOS Power Amplifiers in a Multistage Cascode Topology
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A Cascode Feedback Bias Technique for Linear CMOS Power Amplifiers in a Multistage Cascode Topology

Hamhee Jeon ; Kun-Seok Lee ; Ockgoo Lee ; Kyu Hwan An ; Youngchang Yoon ; Hyungwook Kim ; Kobayashi, K. W. ; Chang-Ho Lee ; Kenney, J. S.

IEEE transactions on microwave theory and techniques, 2013-02, Vol.61 (2), p.890-901 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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Germanium-Tin P-Channel Tunneling Field-Effect Transistor: Device Design and Technology Demonstration
Germanium-Tin P-Channel Tunneling Field-Effect Transistor: Device Design and Technology Demonstration
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Germanium-Tin P-Channel Tunneling Field-Effect Transistor: Device Design and Technology Demonstration

Yang, Yue ; Han, Genquan ; Guo, Pengfei ; Wang, Wei ; Gong, Xiao ; Wang, Lanxiang ; Low, Kain Lu ; Yeo, Yee-Chia

IEEE transactions on electron devices, 2013-12, Vol.60 (12), p.4048-4056 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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Standard Cell Like Via-Configurable Logic Blocks for Structured ASIC in an Industrial Design Flow
Standard Cell Like Via-Configurable Logic Blocks for Structured ASIC in an Industrial Design Flow
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Standard Cell Like Via-Configurable Logic Blocks for Structured ASIC in an Industrial Design Flow

TUNG, Hui-Hsiang ; LIN, Rung-Bin ; LI, Mei-Chen ; HEISH, Tsung-Han

IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems, 2012-12, Vol.20 (12), p.2184-2197 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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Highly Sensitive UV Detection Mechanism in AlGaN/GaN HEMTs
Highly Sensitive UV Detection Mechanism in AlGaN/GaN HEMTs
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Highly Sensitive UV Detection Mechanism in AlGaN/GaN HEMTs

Zaidi, Zaffar H. ; Houston, Peter A.

IEEE transactions on electron devices, 2013-09, Vol.60 (9), p.2776-2781 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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6
A full adder using resonant-tunneling hot electron transistors (RHETs)
A full adder using resonant-tunneling hot electron transistors (RHETs)
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A full adder using resonant-tunneling hot electron transistors (RHETs)

Imamura, K. ; Takatsu, M. ; Mori, T. ; Adachihara, T. ; Ohnishi, H. ; Muto, S. ; Yokoyama, N.

IEEE transactions on electron devices, 1992-12, Vol.39 (12), p.2707-2710 [Periódico revisado por pares]

NEW YORK: IEEE

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