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Refinado por: autor: Bellodi, M remover Nome da Publicação: ICMP 99 : technical digest remover
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A novel leakage drain current model for SOI MOSFETs devices at high temperature
A novel leakage drain current model for SOI MOSFETs devices at high temperature
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A novel leakage drain current model for SOI MOSFETs devices at high temperature

Marcello Bellodi João Antonio Martino 1959-; International Conference on Microelectronics and Packaging (14. 1999 Campinas)

ICMP 99 : Technical Digest São Paulo : SBMicro/IMAPS, 1999

São Paulo SBMicro/IMAPS 1999

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Deste Autor:

  1. Martino, J
  2. International Conference on Microelectronics and Packaging
  3. Bellodi, M
  4. Bellodi, M

Neste Assunto:

  1. Engenharia Elétrica

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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