skip to main content
Idioma:
Mostrar Somente
Refinado por: assunto: Semicondutores remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Cross-section features influence on surrounding MuGFETs
Cross-section features influence on surrounding MuGFETs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Cross-section features influence on surrounding MuGFETs

Márcio Dalla Valle Martino Paula Ghedini Der Agopian; João Antonio Martino 1959-

Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010 v.31, n.1, p. 91-98, 2010

New Jersey 2010

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

2
Cross-section features influence on surrounding MuGFETs
Cross-section features influence on surrounding MuGFETs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Cross-section features influence on surrounding MuGFETs

Márcio Dalla Valle Martino Paula Ghedini Der Agopian; João Antonio Martino 1959-

Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010 v.31, n.1, p. 91-98, 2010

New Jersey 2010

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

3
Performance of differential pair circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures
Performance of differential pair circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Performance of differential pair circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures

Márcio Dalla Valle Martino Cor Claeys; Paula Ghedini Der Agopian; Rita Rooyackers; Eddy Simoen; João Antonio Martino 1959-

Semiconductor Science and Technology v. 33, n. 7, p. 075012, 2018

2018

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

4
Performance of TFET and FinFET devices applied to current mirrors for different dimensions and temperatures
Performance of TFET and FinFET devices applied to current mirrors for different dimensions and temperatures
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Performance of TFET and FinFET devices applied to current mirrors for different dimensions and temperatures

Márcio Dalla Valle Martino João Antonio Martino 1959-; Paula Ghedini Der Agopian; A Vandooren; Rita Rooyackers; Eddy Simoen; Cor Claeys

Semiconductor Science and Technology v. 31, n. 5, 055001, 2016

2016

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

5
Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures
Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures

Márcio Dalla Valle Martino Cor Claeys; Rita Rooyackers; Eddy Simoen; Paula Ghedini Der Agopian; A Vandooren; João Antonio Martino 1959-

Semiconductor Science and Technology v. 32, n.5, p. 055015, 2017

2017

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

6
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico.
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico.

Rodrigues, Michele

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2010-11-30

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

7
Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom)
Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom)

Marcello Bellodi João Antonio Martino 1959-; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

8
A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom)
A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom)

Marcelo Antonio Pavanello João Antonio Martino 1959-; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

9
A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in accumulation-mode P-channel SOI MOSFETs. (em CD-Rom)
A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in accumulation-mode P-channel SOI MOSFETs. (em CD-Rom)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in accumulation-mode P-channel SOI MOSFETs. (em CD-Rom)

João Antonio Martino 1959- Marcelo Antonio Pavanello; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

10
Modelamento analitico para a queda de potencial no substrato de soi-mosfet
Modelamento analitico para a queda de potencial no substrato de soi-mosfet
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Modelamento analitico para a queda de potencial no substrato de soi-mosfet

Marcelo Antonio Pavanello João Antonio Martino 1959-; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica (9. 1994 Rio de Janeiro)

Anais Rio de Janeiro : Sbmicro/Ufrj, 1994

Rio de Janeiro Sbmicro/Ufrj 1994

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Mostrar Somente

  1. Disponível na Biblioteca (1)

Refinar Meus Resultados

Tipo de Recurso 

  1. Artigos  (18)
  2. Produções Acadêmicas  (1)
  3. Mais opções open sub menu

Data de Publicação 

De até
Refinar
  1. Antes de1997  (2)
  2. 1997Até1997  (4)
  3. 1998Até1998  (2)
  4. 1999Até2010  (6)
  5. Após 2010  (5)
  6. Mais opções open sub menu

Novas Pesquisas Sugeridas

Ignorar minha busca e procurar por tudo

Deste Autor:

  1. Martino, J
  2. Pavanello, M
  3. Agopian, P
  4. Martino, M
  5. Claeys, C

Neste Assunto:

  1. Semicondutores
  2. Transistores
  3. Circuitos Integrados
  4. Silício
  5. Multiple-Gate Transistors

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.