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1
Características ópticas e elétricas de Er em filmes finos de GaAs e Sn'O IND.2'
Características ópticas e elétricas de Er em filmes finos de GaAs e Sn'O IND.2'
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Características ópticas e elétricas de Er em filmes finos de GaAs e Sn'O IND.2'

Evandro Augusto de Morais Máximo Siu Li; Viviany Geraldo; Luis Vicente de Andrade Scalvi; Lígia de Oliveira Ruggiero; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (24. 2001 São Lourenço)

Resumos São Paulo: SBF, 2001

São Paulo SBF 2001

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD007239 ) e outros locais(Acessar)

2
Caracterização elétrica e óptica de filmes de GaAs dopados com Yb, obtidos por evaporação resistiva
Caracterização elétrica e óptica de filmes de GaAs dopados com Yb, obtidos por evaporação resistiva
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Caracterização elétrica e óptica de filmes de GaAs dopados com Yb, obtidos por evaporação resistiva

Evandro Augusto de Morais Lígia de Oliveira Ruggiero; Luís Vicente de Andrade Scalvi; Máximo Siu Li; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (22. 1999 São Lourenço)

Resumos São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1999

São Paulo Sociedade Brasileira de Física 1999

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD005983 ) e outros locais(Acessar)

3
Visible emission from Er-doped Sn'O IND. 2'thin films, deposited by sol-gel
Visible emission from Er-doped Sn'O IND. 2'thin films, deposited by sol-gel
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Visible emission from Er-doped Sn'O IND. 2'thin films, deposited by sol-gel

Luis Vicente de Andrade Scalvi Evandro Augusto de Morais; Leandro Piaggi Ravaro; Máximo Siu Li; Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat (5. 2006 Florianópolis); Brazilian MRS Meeting (5. 2006 Florianópolis)

Final Program Rio de Janeiro : Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2006

Rio de Janeiro Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat 2006

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD013659 ) e outros locais(Acessar)

4
Incorporação de Er em Sn'O IND.2'obtido via sol-gel uma análise de xerogéis e filmes finos
Incorporação de Er em Sn'O IND.2'obtido via sol-gel uma análise de xerogéis e filmes finos
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Incorporação de Er em Sn'O IND.2'obtido via sol-gel uma análise de xerogéis e filmes finos

Evandro Augusto de Morais Luis Vicente de Andrade Scalvi

2002

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (Te1467 )(Acessar)

5
Ultraviolet excitation of photoconductivity in thin films of sol-gel Sn'O IND.2'
Ultraviolet excitation of photoconductivity in thin films of sol-gel Sn'O IND.2'
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Ultraviolet excitation of photoconductivity in thin films of sol-gel Sn'O IND.2'

Viviany Geraldo Luis Vicente de Andrade Scalvi; E. A Morais; C. V Santilli; Paulo Barbeitas Miranda; T. J Pereira; Electroceramics (9. 2004 Cherbourg)

Journal of the European Ceramic Society Oxford v. 25, n. 12, p. 2825-2828, 2005

Oxford Elsevier Science LTD 2005

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD010801 ) e outros locais(Acessar)

6
Ultraviolet excitation of photoconductivity in thin films of sol-gel Sn'O IND.2'
Ultraviolet excitation of photoconductivity in thin films of sol-gel Sn'O IND.2'
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Ultraviolet excitation of photoconductivity in thin films of sol-gel Sn'O IND.2'

Luis Vicente de Andrade Scalvi V Geraldo; E. A Morais; C. V Santilli; Paulo Barbeitas Miranda; T. J Pereira; International Conference on Electroceramics (9. 2004 Cherbourg)

Book of Abstracts Cherbourg, 2004

Cherbourg 2004

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD010651 ) e outros locais(Acessar)

7
Caracterização óptica e estrutural de filmes GaAs e GaAs:Er crescidos pelo método de evaporação resistiva
Caracterização óptica e estrutural de filmes GaAs e GaAs:Er crescidos pelo método de evaporação resistiva
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Caracterização óptica e estrutural de filmes GaAs e GaAs:Er crescidos pelo método de evaporação resistiva

E A Morais Lígia de Oliveira Ruggiero; Máximo Siu Li; Luis Vicente de Andrade Scalvi; Seminario Latinoamericano de Análises por Técnicas de Raios X (7. 2000 São Pedro)

Seminario Latinoamericano de Análises por Técnicas de Raios X, 7 São Pedro, 2000

São Pedro 2000

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  1. Morais, E
  2. Scalvi, L
  3. Siu Li, M
  4. Ruggiero, L
  5. Geraldo, V

Neste Assunto:

  1. Filmes Finos
  2. Matéria Condensada
  3. Polímeros (Materiais)
  4. Óptica
  5. Materiais (Propriedades Elétricas)

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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