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Artigo de Congresso
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Overdamped electron plasma oscillations in cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N layers observed by raman scattering spectrocopy

J R L Fernandez A Tabata; V A Chitta; D J As; T Frey; O C Noriega; M T O Silva; E Abramof; D Schikora; K Lischka; J. R Leite (José Roberto); International Workshop on Nitride Semiconductors (2000 Nagoya)

Proceedings Tokyo : The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP, 2000

Tokyo The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP 2000

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2
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Artigo
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Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers

Yuri A. Pusep M T O Silva; J R L Fernandez; V A Chitta; J. R Leite (José Roberto); T Frey; D J As; D Schikora; K Lischka

Journal of Applied Physics New York v. 91, n. 9, p. 6197-6199, 2002

New York 2002

Acesso online

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Artigo
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Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers

Yuri A. Pusep M T O Silva; J R L Fernandez; V A Chitta; J. R Leite (José Roberto); T Frey; D J As; D Schikora; K Lischka

Journal of Applied Physics New York v. 91, n. 9, p. 6197-6199, 2002

New York 2002

Acesso online

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Artigo
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Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems

J R L Fernandez C Moyses Araujo; A Ferreira da Silva; J. R Leite (José Roberto); Bo E Sernelius; A Tabata; E Abramog; V A Chitta; C Persson; R Ahuja; I Pepe; D J As; T Frey; D Schikora; K Lischka

Journal of Crystal Growth Amsterdam v. 231, n. 3, p. 420-427, 2001

Amsterdam 2001

Acesso online

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Artigo
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Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems

J R L Fernandez C Moyses Araujo; A Ferreira da Silva; J. R Leite (José Roberto); Bo E Sernelius; A Tabata; E Abramog; V A Chitta; C Persson; R Ahuja; I Pepe; D J As; T Frey; D Schikora; K Lischka

Journal of Crystal Growth Amsterdam v. 231, n. 3, p. 420-427, 2001

Amsterdam 2001

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