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Refinado por: Título de revista: Applied Physics Letters

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1	Material Type: Artículo		A highly processable metallic glass : Zr41.2Ti13.8Cu12.5Ni10.0Be22.5 PEKER, A ; JOHNSON, W. L Applied physics letters, 1993-10, Vol.63 (17), p.2342-2344 [Revista revisada por pares] Melville, NY: American Institute of Physics Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
2	Material Type: Artículo		Kelvin probe force microscopy NONNEMACHER, M ; O'BOYLE, M. P ; WICKRAMASINGHE, H. K Applied physics letters, 1991-06, Vol.58 (25), p.2921-2923 [Revista revisada por pares] Melville, NY: American Institute of Physics Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
3	Material Type: Artículo		Totally relaxed GexSi1-x layers with low threading dislocation densities grown on Si substrates FITZGERALD, E. A ; XIE, Y.-H ; GREEN, M. L ; BRASEN, D ; KORTAN, A. R ; MICHEL, J ; MII, Y.-J ; WEIR, B. E Applied physics letters, 1991-08, Vol.59 (7), p.811-813 [Revista revisada por pares] Melville, NY: American Institute of Physics Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
4	Material Type: Artículo		Phase transformation mechanisms involved in excimer laser crystallization of amorphous silicon films IM, J. S ; KIM, H. J ; THOMPSON, M. O Applied physics letters, 1993-10, Vol.63 (14), p.1969-1971 [Revista revisada por pares] Melville, NY: American Institute of Physics Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
5	Material Type: Artículo		Modification of hydrogen-passivated silicon by a scanning tunneling microscope operating in air DAGATA, J. A ; SCHNEIR, J ; HARARY, H. H ; EVANS, C. J ; POSTEK, M. T ; BENNETT, J Applied physics letters, 1990-05, Vol.56 (20), p.2001-2003 [Revista revisada por pares] Melville, NY: American Institute of Physics Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
6	Material Type: Artículo		Ideal hydrogen termination of the Si (111) surface HIGASHI, G. S ; CHABAL, Y. J ; TRUCKS, G. W ; RAGHAVACHARI, K Applied physics letters, 1990-02, Vol.56 (7), p.656-658 [Revista revisada por pares] Melville, NY: American Institute of Physics Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
7	Material Type: Artículo		Epitaxial diamond thin films on (001) silicon substrates JIANG, X ; KLAGES, C.-P ; ZACHAI, R ; HARTWEG, M ; FÜSSER, H.-J Applied physics letters, 1993-06, Vol.62 (26), p.3438-3440 [Revista revisada por pares] Melville, NY: American Institute of Physics Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
8	Material Type: Artículo		Thermal imaging using the atomic force microscope MAJUMDAR, A ; CARREJO, J. P ; LAI, J Applied physics letters, 1993-05, Vol.62 (20), p.2501-2503 [Revista revisada por pares] Melville, NY: American Institute of Physics Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
9	Material Type: Artículo		Mechanism for diamond growth from methyl radicals HARRIS, S. J Applied physics letters, 1990-06, Vol.56 (23), p.2298-2300 [Revista revisada por pares] Melville, NY: American Institute of Physics Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
10	Material Type: Artículo		Dislocations and strain relief in compositionally graded layers TERSOFF, J Applied physics letters, 1993-02, Vol.62 (7), p.693-695 [Revista revisada por pares] Melville, NY: American Institute of Physics Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por

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