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Refinado por: Nome da Publicação: Applied Physics Letters remover assunto: Silicon remover Materials Science remover
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1
A 2-terminal perovskite/silicon multijunction solar cell enabled by a silicon tunnel junction
A 2-terminal perovskite/silicon multijunction solar cell enabled by a silicon tunnel junction
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 2-terminal perovskite/silicon multijunction solar cell enabled by a silicon tunnel junction

Mailoa, Jonathan P. ; Bailie, Colin D. ; Johlin, Eric C. ; Hoke, Eric T. ; Akey, Austin J. ; Nguyen, William H. ; McGehee, Michael D. ; Buonassisi, Tonio

Applied physics letters, 2015-03, Vol.106 (12) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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2
Thermal detection of single e-h pairs in a biased silicon crystal detector
Thermal detection of single e-h pairs in a biased silicon crystal detector
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Thermal detection of single e-h pairs in a biased silicon crystal detector

Romani, R. K. ; Brink, P. L. ; Cabrera, B. ; Cherry, M. ; Howarth, T. ; Kurinsky, N. ; Moffatt, R. A. ; Partridge, R. ; Ponce, F. ; Pyle, M. ; Tomada, A. ; Yellin, S. ; Yen, J. J. ; Young, B. A.

Applied physics letters, 2018-01, Vol.112 (4) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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3
Wake-up effects in Si-doped hafnium oxide ferroelectric thin films
Wake-up effects in Si-doped hafnium oxide ferroelectric thin films
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Wake-up effects in Si-doped hafnium oxide ferroelectric thin films

Zhou, Dayu ; Xu, Jin ; Li, Qing ; Guan, Yan ; Cao, Fei ; Dong, Xianlin ; Müller, Johannes ; Schenk, Tony ; Schröder, Uwe

Applied physics letters, 2013-11, Vol.103 (19) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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4
Thermal conductivity of silicene from first-principles
Thermal conductivity of silicene from first-principles
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Thermal conductivity of silicene from first-principles

Xie, Han ; Hu, Ming ; Bao, Hua

Applied physics letters, 2014-03, Vol.104 (13) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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5
Origami-enabled deformable silicon solar cells
Origami-enabled deformable silicon solar cells
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Origami-enabled deformable silicon solar cells

Tang, Rui ; Huang, Hai ; Tu, Hongen ; Liang, Hanshuang ; Liang, Mengbing ; Song, Zeming ; Xu, Yong ; Jiang, Hanqing ; Yu, Hongyu

Applied physics letters, 2014-02, Vol.104 (8) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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6
Synthesis and electrical conductivity of multilayer silicene
Synthesis and electrical conductivity of multilayer silicene
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Synthesis and electrical conductivity of multilayer silicene

Vogt, P. ; Capiod, P. ; Berthe, M. ; Resta, A. ; De Padova, P. ; Bruhn, T. ; Le Lay, G. ; Grandidier, B.

Applied physics letters, 2014-01, Vol.104 (2) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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7
Perovskite/silicon tandem photovoltaics: Technological disruption without business disruption
Perovskite/silicon tandem photovoltaics: Technological disruption without business disruption
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Perovskite/silicon tandem photovoltaics: Technological disruption without business disruption

Kamaraki, Christina ; Klug, Matthew T. ; Green, Thomas ; Miranda Perez, Laura ; Case, Christopher

Applied physics letters, 2021-08, Vol.119 (7) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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8
Very low surface recombination velocity on p -type c -Si by high-rate plasma-deposited aluminum oxide
Very low surface recombination velocity on p -type c -Si by high-rate plasma-deposited aluminum oxide
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Very low surface recombination velocity on p -type c -Si by high-rate plasma-deposited aluminum oxide

Saint-Cast, Pierre ; Kania, Daniel ; Hofmann, Marc ; Benick, Jan ; Rentsch, Jochen ; Preu, Ralf

Applied physics letters, 2009-10, Vol.95 (15), p.151502-151502-3 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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9
Hot electron relaxation and energy loss rate in silicon: Temperature dependence and main scattering channels
Hot electron relaxation and energy loss rate in silicon: Temperature dependence and main scattering channels
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Hot electron relaxation and energy loss rate in silicon: Temperature dependence and main scattering channels

Sen, R. ; Vast, N. ; Sjakste, J.

Applied physics letters, 2022-02, Vol.120 (8) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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10
Ferroelectric polarization retention with scaling of Hf0.5Zr0.5O2 on silicon
Ferroelectric polarization retention with scaling of Hf0.5Zr0.5O2 on silicon
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ferroelectric polarization retention with scaling of Hf0.5Zr0.5O2 on silicon

Mohan, Jaidah ; Hernandez-Arriaga, Heber ; Jung, Yong Chan ; Onaya, Takashi ; Nam, Chang-Yong ; Tsai, Esther H. R. ; Kim, Si Joon ; Kim, Jiyoung

Applied physics letters, 2021-03, Vol.118 (10) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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