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Refinado por: Nome da Publicação: Applied Physics Letters remover assunto: Semiconductor Devices remover Physics remover
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1
A critical review of recent progress on negative capacitance field-effect transistors
A critical review of recent progress on negative capacitance field-effect transistors
Material Type:
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A critical review of recent progress on negative capacitance field-effect transistors

Alam, Muhammad A. ; Si, Mengwei ; Ye, Peide D.

Applied physics letters, 2019-03, Vol.114 (9) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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2
WSe2 field effect transistors with enhanced ambipolar characteristics
WSe2 field effect transistors with enhanced ambipolar characteristics
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WSe2 field effect transistors with enhanced ambipolar characteristics

Das, Saptarshi ; Appenzeller, Joerg

Applied physics letters, 2013-09, Vol.103 (10) [Periódico revisado por pares]

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3
2D-2D tunneling field-effect transistors using WSe2/SnSe2 heterostructures
2D-2D tunneling field-effect transistors using WSe2/SnSe2 heterostructures
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2D-2D tunneling field-effect transistors using WSe2/SnSe2 heterostructures

Roy, Tania ; Tosun, Mahmut ; Hettick, Mark ; Ahn, Geun Ho ; Hu, Chenming ; Javey, Ali

Applied physics letters, 2016-02, Vol.108 (8) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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4
β-Ga2O3 on insulator field-effect transistors with drain currents exceeding 1.5 A/mm and their self-heating effect
β-Ga2O3 on insulator field-effect transistors with drain currents exceeding 1.5 A/mm and their self-heating effect
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β-Ga2O3 on insulator field-effect transistors with drain currents exceeding 1.5 A/mm and their self-heating effect

Zhou, Hong ; Maize, Kerry ; Qiu, Gang ; Shakouri, Ali ; Ye, Peide D.

Applied physics letters, 2017-08, Vol.111 (9) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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5
High mobility ambipolar MoS2 field-effect transistors: Substrate and dielectric effects
High mobility ambipolar MoS2 field-effect transistors: Substrate and dielectric effects
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High mobility ambipolar MoS2 field-effect transistors: Substrate and dielectric effects

Bao, Wenzhong ; Cai, Xinghan ; Kim, Dohun ; Sridhara, Karthik ; Fuhrer, Michael S.

Applied physics letters, 2013-01, Vol.102 (4) [Periódico revisado por pares]

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6
Multi-gate organic neuron transistors for spatiotemporal information processing
Multi-gate organic neuron transistors for spatiotemporal information processing
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Multi-gate organic neuron transistors for spatiotemporal information processing

Qian, Chuan ; Kong, Ling-an ; Yang, Junliang ; Gao, Yongli ; Sun, Jia

Applied physics letters, 2017-02, Vol.110 (8) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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7
Highly stable PEDOT:PSS electrochemical transistors
Highly stable PEDOT:PSS electrochemical transistors
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Highly stable PEDOT:PSS electrochemical transistors

Bidinger, Sophia L ; Han, Sanggil ; Malliaras, George G. ; Hasan, Tawfique

Applied physics letters, 2022-02, Vol.120 (7) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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8
High-performance MoS2 transistors with low-resistance molybdenum contacts
High-performance MoS2 transistors with low-resistance molybdenum contacts
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High-performance MoS2 transistors with low-resistance molybdenum contacts

Kang, Jiahao ; Liu, Wei ; Banerjee, Kaustav

Applied physics letters, 2014-03, Vol.104 (9) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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9
Field-effect transistors and intrinsic mobility in ultra-thin MoSe2 layers
Field-effect transistors and intrinsic mobility in ultra-thin MoSe2 layers
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Field-effect transistors and intrinsic mobility in ultra-thin MoSe2 layers

Larentis, Stefano ; Fallahazad, Babak ; Tutuc, Emanuel

Applied physics letters, 2012-11, Vol.101 (22) [Periódico revisado por pares]

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10
Enhancement-mode Ga2O3 wrap-gate fin field-effect transistors on native (100) β-Ga2O3 substrate with high breakdown voltage
Enhancement-mode Ga2O3 wrap-gate fin field-effect transistors on native (100) β-Ga2O3 substrate with high breakdown voltage
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Enhancement-mode Ga2O3 wrap-gate fin field-effect transistors on native (100) β-Ga2O3 substrate with high breakdown voltage

Chabak, Kelson D. ; Moser, Neil ; Green, Andrew J. ; Walker, Dennis E. ; Tetlak, Stephen E. ; Heller, Eric ; Crespo, Antonio ; Fitch, Robert ; McCandless, Jonathan P. ; Leedy, Kevin ; Baldini, Michele ; Wagner, Gunter ; Galazka, Zbigniew ; Li, Xiuling ; Jessen, Gregg

Applied physics letters, 2016-11, Vol.109 (21) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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