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Caracterizacao eletrica de transistores soi mosfet em altas temperaturas
Caracterizacao eletrica de transistores soi mosfet em altas temperaturas
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Caracterizacao eletrica de transistores soi mosfet em altas temperaturas

Marcello Bellodi João Antonio Martino 1959-; Seminario Brasileiro de Caracterizacao em Microeletronica (2. 1995 Curitiba)

Anais Curitiba : Copel, 1995

Curitiba Copel 1995

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2
Limitações da estruturaCMOS cavidade dupla
Limitações da estruturaCMOS cavidade dupla
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Limitações da estruturaCMOS cavidade dupla

João Antonio Martino 1959- Jacobus Willibrordus Swart 1950-; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica (4. 1989 Porto Alegre)

Anais Porto Alegre : Sbmicro/Ufrgs, 1989

Porto Alegre Sbmicro/Ufrgs 1989

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3
Estudo comparativo de estruturas de fonte e dreno de transistores mos submicrometricos
Estudo comparativo de estruturas de fonte e dreno de transistores mos submicrometricos
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo comparativo de estruturas de fonte e dreno de transistores mos submicrometricos

J J Mafra Junior João Antonio Martino 1959-; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica (7. 1992 São Paulo)

Anais São Paulo : Sbmicro/Epusp, 1992

São Paulo Sbmicro/Epusp 1992

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4
Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2'mu'm - resultados finais
Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2'mu'm - resultados finais
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2'mu'm - resultados finais

João Antonio Martino 1959- Jacobus Willibrordus Swart 1950-; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica (4. 1989 Porto Alegre)

Anais

Porto Alegre Sociedade Brasileira de Microeletrônica 1989

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5
Projeto de fonte e dreno de MOSFETs de canal curto
Projeto de fonte e dreno de MOSFETs de canal curto
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Projeto de fonte e dreno de MOSFETs de canal curto

Johnny Jose Mafra Junior João Antonio Martino 1959-; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica (6 1991 Belo Horizonte)

Anais

Belo Horizonte Sociedade Brasileira de Microeletrônica 1991

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6
Metodos de extracao do comprimento efetivo de canal e da resistencia serie em transistores mosfets
Metodos de extracao do comprimento efetivo de canal e da resistencia serie em transistores mosfets
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Metodos de extracao do comprimento efetivo de canal e da resistencia serie em transistores mosfets

Aparecido Sirley Nicolett João Antonio Martino 1959-; Seminario Brasileiro de Caracterizacao em Microeletronica (2. 1995 Curitiba)

Anais Curitiba : Copel, 1995

Curitiba Copel 1995

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7
Transistor soi-nmosfet nao auto-alinhado
Transistor soi-nmosfet nao auto-alinhado
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Transistor soi-nmosfet nao auto-alinhado

Aparecido Sirley Nicolett João Antonio Martino 1959-; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica (9. 1994 Rio de Janeiro)

Anais Rio de Janeiro : Sbmicro/Ufrj, 1994

Rio de Janeiro Sbmicro/Ufrj 1994

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8
Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet
Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet

Victor Sonnenberg João Antonio Martino 1959-; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica (9. 1994 Rio de Janeiro)

Anais Rio de Janeiro : Sbmicro/Ufrj, 1994

Rio de Janeiro Sbmicro/Ufrj 1994

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9
Analise da regiao de sublimiar do transistor soi mosfet
Analise da regiao de sublimiar do transistor soi mosfet
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Analise da regiao de sublimiar do transistor soi mosfet

Victor Sonnenberg João Antonio Martino 1959-; Seminario Brasileiro de Caracterizacao em Microeletronica (2. 1995 Curitiba)

Anais Curitiba : Copel, 1995

Curitiba Copel 1995

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10
Anomalia na tensao de limiar de transistores soi mosfet induzida pelo efeito do substrato em baixa temperatura
Anomalia na tensao de limiar de transistores soi mosfet induzida pelo efeito do substrato em baixa temperatura
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Anomalia na tensao de limiar de transistores soi mosfet induzida pelo efeito do substrato em baixa temperatura

Marcelo Antonio Pavanello João Antonio Martino 1959-; Seminario Brasileiro de Caracterizacao em Microeletronica (2. 1995 Curitiba)

Anais Curitiba : Copel, 1995

Curitiba Copel 1995

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