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Material Type: Artigo
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Single and periodically Si Delta-doped Inp grown by Lp-movpe
B Yavich P. L Souza; M Pamplona-Pires; André Bohomoletz Henriques; L. C. D Gonçalves
Semiconductor Science and Technology v. 12, p. 481-484, 1997
1997
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2
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Material Type: Artigo
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Characterization of periodically 'delta'-doped semiconductors by capacitance-voltage profiling
L. C. D. Gonçalves André Bohomoletz Henriques; P. L Souza; B Yavich
Semiconductor Science and Technology Bristol v. 12, p. 1455-1458, 1997
Bristol 1997
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3
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Material Type: Artigo
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Miniband structures and effective masses of n-type 'delta'-doping superlattices in 'GaN'
S C P Rodrigues A L Rosa; Luísa Maria Ribeiro Scolfaro; Dmitri Beliaev; J. R Leite (José Roberto); R Enderlein; J L A Alves
Semiconductor Science and Technology v. 13, p. 981-988, 1998
1998
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4
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Material Type: Artigo
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Photoreflectance spectra from GaAs HEMT structures reinvestigated solution of an old controversy
J A N T Soares R Enderlein; D Beliaev; J. R Leite (José Roberto); M Saito
Semiconductor Science and Technology London v. 13, n. 12, p. 1418-1425, 1998
London 1998
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5
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Material Type: Artigo
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Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate
A. Tabata A. P Lima; J. R Leite (José Roberto); V Lemos; D Schikora; B Schottker; U Kohler; D. J As; K Lischka
Semiconductor Science and Technology Bristol v. 14, n. 4, p. 318-322, 1999
Bristol 1999
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6
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Material Type: Artigo
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Electronic properties of gated 'DELTA'-doped semiconductors
L. C. D. Gonçalves André Bohomoletz Henriques
London v.12, p.203-9, 1997 Semiconductor Science and Technology
London 1997
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7
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Material Type: Artigo
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Doping of silicon with boron by rapid thermal processing
J. P. Souza Claus Martin Hasenack; Jacobus Willibrordus Swart 1950-
London v.3 , n.4 , p.277-90, apr. 1988 Semiconductor Science and Technology
London 1988
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8
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Material Type: Artigo
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Exciton-phonon systems in 'GA''AS'-'GA IND. 1-X''AL IND.X''AS' quantum wells
Marcos Henrique Degani Oscar Hipólito
Inglaterra v.2 , p.578-581, 1987 Semiconductor Science and Technology
Inglaterra 1987
Localização:
IFSC - Inst. Física de São Carlos
(PROD000736 )(Acessar)
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9
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Material Type: Artigo
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Many-electron treatment for chalcogen complexes in silicon
A Fazzio A Antonelli; H Ferreira de Paula Junior; Sylvio Canuto
v.5 , n.3 , p.196-9, 1990 Semiconductor Science and Technology
1990
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10
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Material Type: Artigo
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Photoluminescence of 'GA' sb grown by metal-organic vapour phase epitaxy
André Bohomoletz Henriques E T R Chidley; S K Haywood; R J Nicholas; N J Mason; P J Walker
v.6 , p.45, 1991 Semiconductor Science and Technology
1991
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