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High critical currents in Y-Ba-Cu-O superconductors
High critical currents in Y-Ba-Cu-O superconductors
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High critical currents in Y-Ba-Cu-O superconductors

JIN, S ; TIEFEL, T. H ; SHERWOOD, R. C ; DAVIS, M. E ; VAN DOVER, R. B ; KAMMLOTT, G. W ; FASTNACHT, R. A ; KEITH, H. D

Applied physics letters, 1988-06, Vol.52 (24), p.2074-2076 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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2
Structural properties of As-rich GaAs grown by molecular beam epitaxy at low temperatures
Structural properties of As-rich GaAs grown by molecular beam epitaxy at low temperatures
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Structural properties of As-rich GaAs grown by molecular beam epitaxy at low temperatures

KAMINSKA, M ; LILIENTAL-WEBER, Z ; WEBER, E. R ; GEORGE, T ; KORTRIGHT, J. B ; SMITH, F. W ; TSAUR, B.-Y ; CALAWA, A. R

Applied physics letters, 1989-05, Vol.54 (19), p.1881-1883 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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3
Laser wakefield acceleration and relativistic optical guiding
Laser wakefield acceleration and relativistic optical guiding
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Laser wakefield acceleration and relativistic optical guiding

SPRANGLE, P ; ESAREY, E ; TING, A ; JOYCE, G

Applied physics letters, 1988-11, Vol.53 (22), p.2146-2148 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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4
Critical currents and thermally activated flux motion in high-temperature superconductors
Critical currents and thermally activated flux motion in high-temperature superconductors
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Critical currents and thermally activated flux motion in high-temperature superconductors

PALSTRA, T. T. M ; BATLOGG, B ; VAN DOVER, R. B ; SCHNEEMEYER, L. F ; WASZCZAK, J. V

Applied physics letters, 1989-02, Vol.54 (8), p.763-765 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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5
Luminescence of heteroepitaxial zinc oxide
Luminescence of heteroepitaxial zinc oxide
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Luminescence of heteroepitaxial zinc oxide

BETHKE, S ; PAN, H ; WESSELS, B. W

Applied physics letters, 1988-01, Vol.52 (2), p.138-140 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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6
Relaxation of strained-layer semiconductor structures via plastic flow
Relaxation of strained-layer semiconductor structures via plastic flow
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Relaxation of strained-layer semiconductor structures via plastic flow

DODSON, B. W ; TSAO, J. Y

Applied physics letters, 1987-10, Vol.51 (17), p.1325-1327 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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7
Quantum interference devices made from superconducting oxide thin films
Quantum interference devices made from superconducting oxide thin films
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Quantum interference devices made from superconducting oxide thin films

KOCH, R. H ; UMBACH, C. P ; CLARK, G. J ; CHAUDHARI, P ; LAIBOWITZ, R. B

Applied physics letters, 1987-07, Vol.51 (3), p.200-202 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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8
Superconducting oxide films with high transition temperature prepared from metal trifluoroacetate precursors
Superconducting oxide films with high transition temperature prepared from metal trifluoroacetate precursors
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Superconducting oxide films with high transition temperature prepared from metal trifluoroacetate precursors

GUPTA, A ; JAGANNATHAN, R ; COOPER, E. I ; GIESS, E. A ; LANDMAN, J. I ; HUSSEY, B. W

Applied physics letters, 1988-06, Vol.52 (24), p.2077-2079 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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9
Reproducible technique for fabrication of thin films of high transition temperature superconductors
Reproducible technique for fabrication of thin films of high transition temperature superconductors
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Reproducible technique for fabrication of thin films of high transition temperature superconductors

MANKIEWICH, P. M ; SCOFIELD, J. H ; SKOCPOL, W. J ; HOWARD, R. E ; DAYEM, A. H ; GOOD, E

Applied physics letters, 1987-11, Vol.51 (21), p.1753-1755 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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10
First observation of an extremely large-dipole infrared transition within the conduction band of a GaAs quantum well
First observation of an extremely large-dipole infrared transition within the conduction band of a GaAs quantum well
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First observation of an extremely large-dipole infrared transition within the conduction band of a GaAs quantum well

West, L. C. ; Eglash, S. J.

Applied physics letters, 1985-06, Vol.46 (12), p.1156-1158 [Periódico revisado por pares]

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