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Strong sulfur passivation effects on the gas sensitivity of an In0.3Ga0.7As surface quantum dots coupling structure
Strong sulfur passivation effects on the gas sensitivity of an In0.3Ga0.7As surface quantum dots coupling structure
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Strong sulfur passivation effects on the gas sensitivity of an In0.3Ga0.7As surface quantum dots coupling structure

Wu, Jun ; Yang, Yingli ; Liu, Zengguang ; Wang, Guodong

Journal of crystal growth, 2021-04, Vol.560-561, p.126058, Article 126058 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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Low areal densities of InAs quantum dots on GaAs(100) prepared by molecular beam epitaxy
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Low areal densities of InAs quantum dots on GaAs(100) prepared by molecular beam epitaxy

Verma, A.K. ; Bopp, F. ; Finley, J.J. ; Jonas, B. ; Zrenner, A. ; Reuter, D.

Journal of crystal growth, 2022-08, Vol.592, p.126715, Article 126715 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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Recent Advances in InAs Quantum Dot Lasers Grown on On‐Axis (001) Silicon by Molecular Beam Epitaxy
Recent Advances in InAs Quantum Dot Lasers Grown on On‐Axis (001) Silicon by Molecular Beam Epitaxy
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Recent Advances in InAs Quantum Dot Lasers Grown on On‐Axis (001) Silicon by Molecular Beam Epitaxy

Jung, Daehwan ; Norman, Justin ; Wan, Yating ; Liu, Songtao ; Herrick, Robert ; Selvidge, Jennifer ; Mukherjee, Kunal ; Gossard, Arthur C. ; Bowers, John E.

Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2019-01, Vol.216 (1), p.1800602-n/a [Periódico revisado por pares]

Weinheim: Wiley Subscription Services, Inc

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Annealing-Modulated Surface Reconstruction for Self-Assembly of High-Density Uniform InAs/GaAs Quantum Dots on Large Wafers Substrate
Annealing-Modulated Surface Reconstruction for Self-Assembly of High-Density Uniform InAs/GaAs Quantum Dots on Large Wafers Substrate
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Annealing-Modulated Surface Reconstruction for Self-Assembly of High-Density Uniform InAs/GaAs Quantum Dots on Large Wafers Substrate

Shang, Xiangjun ; Su, Xiangbin ; Liu, Hanqing ; Hao, Huiming ; Li, Shulun ; Dai, Deyan ; Li, Mifeng ; Yu, Ying ; Zhang, Yu ; Wang, Guowei ; Xu, Yingqiang ; Ni, Haiqiao ; Niu, Zhichuan

Nanomaterials (Basel, Switzerland), 2023-06, Vol.13 (13), p.1959 [Periódico revisado por pares]

Switzerland: MDPI AG

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E-Band InAs Quantum Dot Micro-Disk Laser with Metamorphic InGaAs Layers Grown on GaAs/Si (001) Substrate
E-Band InAs Quantum Dot Micro-Disk Laser with Metamorphic InGaAs Layers Grown on GaAs/Si (001) Substrate
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E-Band InAs Quantum Dot Micro-Disk Laser with Metamorphic InGaAs Layers Grown on GaAs/Si (001) Substrate

Liang, Wenqian ; Wei, Wenqi ; Han, Dong ; Ming, Ming ; Zhang, Jieyin ; Wang, Zihao ; Zhang, Xinding ; Wang, Ting ; Zhang, Jianjun

Materials, 2024-04, Vol.17 (8), p.1916 [Periódico revisado por pares]

Switzerland: MDPI AG

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InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers Monolithically Grown on Si, Ge, and Ge-on-Si Substrates
InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers Monolithically Grown on Si, Ge, and Ge-on-Si Substrates
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InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers Monolithically Grown on Si, Ge, and Ge-on-Si Substrates

Lee, A. D. ; Qi Jiang ; Mingchu Tang ; Yunyan Zhang ; Seeds, A. J. ; Huiyun Liu

IEEE journal of selected topics in quantum electronics, 2013-07, Vol.19 (4), p.1901107-1901107 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Carrier Transport in Colloidal Quantum Dot Intermediate Band Solar Cell Materials Using Network Science
Carrier Transport in Colloidal Quantum Dot Intermediate Band Solar Cell Materials Using Network Science
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Carrier Transport in Colloidal Quantum Dot Intermediate Band Solar Cell Materials Using Network Science

Cuadra, Lucas ; Salcedo-Sanz, Sancho ; Nieto-Borge, José Carlos

International journal of molecular sciences, 2023-02, Vol.24 (4), p.3797 [Periódico revisado por pares]

Switzerland: MDPI AG

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Principles of Selective Area Epitaxy and Applications in III–V Semiconductor Lasers Using MOCVD: A Review
Principles of Selective Area Epitaxy and Applications in III–V Semiconductor Lasers Using MOCVD: A Review
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Principles of Selective Area Epitaxy and Applications in III–V Semiconductor Lasers Using MOCVD: A Review

Wang, Bin ; Zeng, Yugang ; Song, Yue ; Wang, Ye ; Liang, Lei ; Qin, Li ; Zhang, Jianwei ; Jia, Peng ; Lei, Yuxin ; Qiu, Cheng ; Ning, Yongqiang ; Wang, Lijun

Crystals (Basel), 2022-07, Vol.12 (7), p.1011 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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Influence of molecular beam effusion cell quality on optical and electrical properties of quantum dots and quantum wells
Influence of molecular beam effusion cell quality on optical and electrical properties of quantum dots and quantum wells
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Influence of molecular beam effusion cell quality on optical and electrical properties of quantum dots and quantum wells

Nguyen, G.N. ; Korsch, A.R. ; Schmidt, M. ; Ebler, C. ; Labud, P.A. ; Schott, R. ; Lochner, P. ; Brinks, F. ; Wieck, A.D. ; Ludwig, A.

Journal of crystal growth, 2020-11, Vol.550, p.125884, Article 125884 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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Ultra-low charge and spin noise in self-assembled quantum dots
Ultra-low charge and spin noise in self-assembled quantum dots
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Ultra-low charge and spin noise in self-assembled quantum dots

Ludwig, Arne ; Prechtel, Jonathan H. ; Kuhlmann, Andreas V. ; Houel, Julien ; Valentin, Sascha R. ; Warburton, Richard J. ; Wieck, Andreas D.

Journal of crystal growth, 2017-11, Vol.477, p.193-196 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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  1. Molecular Beam Epitaxy
  2. Molecular Beam Epitaxy
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