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High operating temperature mid-infrared InGaAs/GaAs submonolayer quantum dot quantum cascade detectors on silicon
High operating temperature mid-infrared InGaAs/GaAs submonolayer quantum dot quantum cascade detectors on silicon
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High operating temperature mid-infrared InGaAs/GaAs submonolayer quantum dot quantum cascade detectors on silicon

Guo, Daqian ; Huang, Jian ; Benamara, Mourad ; Mazur, Yuriy I. ; Deng, Zhuo ; Salamo, Gregory J. ; Liu, Huiyun ; Chen, Baile ; Wu, Jiang

IEEE journal of quantum electronics, 2023-04, Vol.59 (2), p.1-1 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Room Temperature Triggered Single Photon Emission from Self‐Assembled GaN/AlN Quantum Dot in Nanowire
Room Temperature Triggered Single Photon Emission from Self‐Assembled GaN/AlN Quantum Dot in Nanowire
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Room Temperature Triggered Single Photon Emission from Self‐Assembled GaN/AlN Quantum Dot in Nanowire

Chen, Ling ; Sheng, Bowen ; Sheng, Shanshan ; Wang, Ping ; Sun, Xiaoxiao ; Li, Duo ; Wang, Tao ; Tao, Renchun ; Liu, Shangfeng ; Chen, Zhaoying ; Ge, Weikun ; Shen, Bo ; Wang, Xinqiang

Advanced functional materials, 2022-11, Vol.32 (47), p.n/a [Periódico revisado por pares]

Hoboken: Wiley Subscription Services, Inc

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Comparison between InP-based quantum dot lasers with and without tunnel injection quantum well and the impact of rapid thermal annealing
Comparison between InP-based quantum dot lasers with and without tunnel injection quantum well and the impact of rapid thermal annealing
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Comparison between InP-based quantum dot lasers with and without tunnel injection quantum well and the impact of rapid thermal annealing

Bauer, Sven ; Sichkovskyi, Vitalii ; Schnabel, Florian ; Sengül, Anna ; Reithmaier, Johann Peter

Journal of crystal growth, 2019-06, Vol.516, p.34-39 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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Monolithic 9 GHz passively mode locked quantum dot lasers directly grown on on-axis (001) Si
Monolithic 9 GHz passively mode locked quantum dot lasers directly grown on on-axis (001) Si
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Monolithic 9 GHz passively mode locked quantum dot lasers directly grown on on-axis (001) Si

Liu, Songtao ; Norman, Justin C. ; Jung, Daehwan ; Kennedy, MJ ; Gossard, Arthur C. ; Bowers, John E.

Applied physics letters, 2018-07, Vol.113 (4) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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Enhancement in electro-optic performance of InAlGaAs/GaAs quantum dot lasers by ex situ thermal annealing
Enhancement in electro-optic performance of InAlGaAs/GaAs quantum dot lasers by ex situ thermal annealing
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Enhancement in electro-optic performance of InAlGaAs/GaAs quantum dot lasers by ex situ thermal annealing

You, Weicheng ; Arefin, Riazul ; Uzgur, Fatih ; Lee, Seunghyun ; Addamane, Sadhvikas J ; Liang, Baolai ; Arafin, Shamsul

Optics letters, 2023-04, Vol.48 (7), p.1938 [Periódico revisado por pares]

United States: Optical Society of America

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Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors
Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors
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Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors

Alzeidan, A. ; Cantalice, T.F. ; Vallejo, K.D. ; Gajjela, R.S.R. ; Hendriks, A.L. ; Simmonds, P.J. ; Koenraad, P.M. ; Quivy, A.A.

Sensors and actuators. A. Physical., 2022-02, Vol.334, p.113357, Article 113357 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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Quantum Dot-Like Behavior of Compositional Fluctuations in AlGaN Nanowires
Quantum Dot-Like Behavior of Compositional Fluctuations in AlGaN Nanowires
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Quantum Dot-Like Behavior of Compositional Fluctuations in AlGaN Nanowires

Belloeil, M ; Gayral, B ; Daudin, B

Nano letters, 2016-02, Vol.16 (2), p.960-966 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

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Effects of gamma radiation on the electrical properties of InAs/InGaAs quantum dot-based laser structures grown on GaAs and Si substrates by molecular beam epitaxy
Effects of gamma radiation on the electrical properties of InAs/InGaAs quantum dot-based laser structures grown on GaAs and Si substrates by molecular beam epitaxy
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Effects of gamma radiation on the electrical properties of InAs/InGaAs quantum dot-based laser structures grown on GaAs and Si substrates by molecular beam epitaxy

Huwayz, M. Al ; Jameel, D. A ; de Azevedo, Walter M ; Felix, Jorlandio F ; Saqri, N. Al ; Lemine, O. M ; Alrub, S. Abu ; Henini, M

Physical chemistry chemical physics : PCCP, 2023-12, Vol.26 (1), p.445-454 [Periódico revisado por pares]

England: Royal Society of Chemistry

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Direct Optical Patterning of Quantum Dots: One Strategy, Different Chemical Processes
Direct Optical Patterning of Quantum Dots: One Strategy, Different Chemical Processes
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Direct Optical Patterning of Quantum Dots: One Strategy, Different Chemical Processes

Antolini, Francesco

Nanomaterials (Basel, Switzerland), 2023-07, Vol.13 (13), p.2008 [Periódico revisado por pares]

Switzerland: MDPI AG

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Improved performance of 1.3-μm InAs/GaAs quantum dot lasers by direct Si doping
Improved performance of 1.3-μm InAs/GaAs quantum dot lasers by direct Si doping
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Improved performance of 1.3-μm InAs/GaAs quantum dot lasers by direct Si doping

Lv, Zun-Ren ; Zhang, Zhong-Kai ; Yang, Xiao-Guang ; Yang, Tao

Applied physics letters, 2018-07, Vol.113 (1) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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  1. Molecular Beam Epitaxy
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