skip to main content
Idioma:
Resultados 1 2 3 4 5 next page
Mostrar Somente
Refinado por: Base de dados/Biblioteca: Aerospace Database remover assunto: Molecular Beam Epitaxy remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
High efficiency low threshold current 1.3 μm InAs quantum dot lasers on on-axis (001) GaP/Si
High efficiency low threshold current 1.3 μm InAs quantum dot lasers on on-axis (001) GaP/Si
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

High efficiency low threshold current 1.3 μm InAs quantum dot lasers on on-axis (001) GaP/Si

Jung, Daehwan ; Norman, Justin ; Kennedy, M. J. ; Shang, Chen ; Shin, Bongki ; Wan, Yating ; Gossard, Arthur C. ; Bowers, John E.

Applied physics letters, 2017-09, Vol.111 (12) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
High performance continuous wave 1.3  μ m quantum dot lasers on silicon
High performance continuous wave 1.3  μ m quantum dot lasers on silicon
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

High performance continuous wave 1.3  μ m quantum dot lasers on silicon

Liu, Alan Y. ; Zhang, Chong ; Norman, Justin ; Snyder, Andrew ; Lubyshev, Dmitri ; Fastenau, Joel M. ; Liu, Amy W. K. ; Gossard, Arthur C. ; Bowers, John E.

Applied physics letters, 2014-01, Vol.104 (4), p.41104 [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
Monolithic 9 GHz passively mode locked quantum dot lasers directly grown on on-axis (001) Si
Monolithic 9 GHz passively mode locked quantum dot lasers directly grown on on-axis (001) Si
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Monolithic 9 GHz passively mode locked quantum dot lasers directly grown on on-axis (001) Si

Liu, Songtao ; Norman, Justin C. ; Jung, Daehwan ; Kennedy, MJ ; Gossard, Arthur C. ; Bowers, John E.

Applied physics letters, 2018-07, Vol.113 (4) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
Enhancement in electro-optic performance of InAlGaAs/GaAs quantum dot lasers by ex situ thermal annealing
Enhancement in electro-optic performance of InAlGaAs/GaAs quantum dot lasers by ex situ thermal annealing
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Enhancement in electro-optic performance of InAlGaAs/GaAs quantum dot lasers by ex situ thermal annealing

You, Weicheng ; Arefin, Riazul ; Uzgur, Fatih ; Lee, Seunghyun ; Addamane, Sadhvikas J ; Liang, Baolai ; Arafin, Shamsul

Optics letters, 2023-04, Vol.48 (7), p.1938 [Periódico revisado por pares]

United States: Optical Society of America

Sem texto completo

Citações Citado por
5
Direct Optical Patterning of Quantum Dots: One Strategy, Different Chemical Processes
Direct Optical Patterning of Quantum Dots: One Strategy, Different Chemical Processes
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Direct Optical Patterning of Quantum Dots: One Strategy, Different Chemical Processes

Antolini, Francesco

Nanomaterials (Basel, Switzerland), 2023-07, Vol.13 (13), p.2008 [Periódico revisado por pares]

Switzerland: MDPI AG

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
Improved performance of 1.3-μm InAs/GaAs quantum dot lasers by direct Si doping
Improved performance of 1.3-μm InAs/GaAs quantum dot lasers by direct Si doping
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Improved performance of 1.3-μm InAs/GaAs quantum dot lasers by direct Si doping

Lv, Zun-Ren ; Zhang, Zhong-Kai ; Yang, Xiao-Guang ; Yang, Tao

Applied physics letters, 2018-07, Vol.113 (1) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
Annealing-Modulated Surface Reconstruction for Self-Assembly of High-Density Uniform InAs/GaAs Quantum Dots on Large Wafers Substrate
Annealing-Modulated Surface Reconstruction for Self-Assembly of High-Density Uniform InAs/GaAs Quantum Dots on Large Wafers Substrate
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Annealing-Modulated Surface Reconstruction for Self-Assembly of High-Density Uniform InAs/GaAs Quantum Dots on Large Wafers Substrate

Shang, Xiangjun ; Su, Xiangbin ; Liu, Hanqing ; Hao, Huiming ; Li, Shulun ; Dai, Deyan ; Li, Mifeng ; Yu, Ying ; Zhang, Yu ; Wang, Guowei ; Xu, Yingqiang ; Ni, Haiqiao ; Niu, Zhichuan

Nanomaterials (Basel, Switzerland), 2023-06, Vol.13 (13), p.1959 [Periódico revisado por pares]

Switzerland: MDPI AG

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
Quantum Dot Lasers Directly Grown on 300 mm Si Wafers: Planar and In-Pocket
Quantum Dot Lasers Directly Grown on 300 mm Si Wafers: Planar and In-Pocket
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Quantum Dot Lasers Directly Grown on 300 mm Si Wafers: Planar and In-Pocket

Feng, Kaiyin ; Shang, Chen ; Hughes, Eamonn ; Clark, Andrew ; Koscica, Rosalyn ; Ludewig, Peter ; Harame, David ; Bowers, John

Photonics, 2023-05, Vol.10 (5), p.534 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
Demonstration of in-plane miniband formation in InAs/InAsSb ultrahigh-density quantum dots by analysis of temperature dependence of photoluminescence
Demonstration of in-plane miniband formation in InAs/InAsSb ultrahigh-density quantum dots by analysis of temperature dependence of photoluminescence
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Demonstration of in-plane miniband formation in InAs/InAsSb ultrahigh-density quantum dots by analysis of temperature dependence of photoluminescence

Tatsugi, Sho ; Miyashita, Naoya ; Sogabe, Tomah ; Yamaguchi, Koichi

Japanese Journal of Applied Physics, 2022-10, Vol.61 (10), p.102009 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
High density and uniformity 1300 nm InAs/GaAs quantum dots grown on silicon substrate through molecular beam epitaxy
High density and uniformity 1300 nm InAs/GaAs quantum dots grown on silicon substrate through molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

High density and uniformity 1300 nm InAs/GaAs quantum dots grown on silicon substrate through molecular beam epitaxy

Hao, H M ; Su, X B ; Liu, H Q ; Shang, X J ; Ni, H Q ; Niu, Z C

Journal of physics. Conference series, 2022-03, Vol.2226 (1), p.12006 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
Resultados 1 2 3 4 5 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Mostrar Somente

  1. Recursos Online (279)
  2. Revistas revisadas por pares (298)

Refinar Meus Resultados

Tipo de Recurso 

  1. Artigos  (290)
  2. Anais de Congresso  (27)
  3. Book Chapters  (2)
  4. Mais opções open sub menu

Idioma 

  1. Inglês  (315)
  2. Japonês  (45)
  3. Chinês  (4)
  4. Mais opções open sub menu

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.