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High efficiency low threshold current 1.3 μm InAs quantum dot lasers on on-axis (001) GaP/Si
High efficiency low threshold current 1.3 μm InAs quantum dot lasers on on-axis (001) GaP/Si
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High efficiency low threshold current 1.3 μm InAs quantum dot lasers on on-axis (001) GaP/Si

Jung, Daehwan ; Norman, Justin ; Kennedy, M. J. ; Shang, Chen ; Shin, Bongki ; Wan, Yating ; Gossard, Arthur C. ; Bowers, John E.

Applied physics letters, 2017-09, Vol.111 (12) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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2
Optically enhanced single- and multi-stacked 1.55 μm InAs/InAlGaAs/InP quantum dots for laser applications
Optically enhanced single- and multi-stacked 1.55 μm InAs/InAlGaAs/InP quantum dots for laser applications
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Optically enhanced single- and multi-stacked 1.55 μm InAs/InAlGaAs/InP quantum dots for laser applications

Yu, Xuezhe ; Jia, Hui ; Dear, Calum ; Yuan, Jiajing ; Deng, Huiwen ; Tang, Mingchu ; Liu, Huiyun

Journal of physics. D, Applied physics, 2023-07, Vol.56 (28), p.285101 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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3
High performance continuous wave 1.3  μ m quantum dot lasers on silicon
High performance continuous wave 1.3  μ m quantum dot lasers on silicon
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High performance continuous wave 1.3  μ m quantum dot lasers on silicon

Liu, Alan Y. ; Zhang, Chong ; Norman, Justin ; Snyder, Andrew ; Lubyshev, Dmitri ; Fastenau, Joel M. ; Liu, Amy W. K. ; Gossard, Arthur C. ; Bowers, John E.

Applied physics letters, 2014-01, Vol.104 (4), p.41104 [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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4
E‐Band InAs/GaAs Trilayer Quantum Dot Lasers
E‐Band InAs/GaAs Trilayer Quantum Dot Lasers
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E‐Band InAs/GaAs Trilayer Quantum Dot Lasers

Zhan, Wenbo ; Kwoen, Jinkwan ; Imoto, Takaya ; Iwamoto, Satoshi ; Arakawa, Yasuhiko

Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2022-02, Vol.219 (4), p.n/a [Periódico revisado por pares]

Weinheim: Wiley Subscription Services, Inc

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5
Improvement in Performance of InAs Surface Quantum Dot Heterostructure Based H2S Gas Sensor by Introducing Buried Quantum Dot Layer
Improvement in Performance of InAs Surface Quantum Dot Heterostructure Based H2S Gas Sensor by Introducing Buried Quantum Dot Layer
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Improvement in Performance of InAs Surface Quantum Dot Heterostructure Based H2S Gas Sensor by Introducing Buried Quantum Dot Layer

Mantri, Manas Ranjan ; Panda, Debi Prasad ; Punetha, Deepak ; Pandey, Sushil Kumar ; Singh, Vivek Pratap ; Pandey, Saurabh Kumar ; Chakrabarti, Subhananda

IEEE sensors journal, 2023-07, Vol.23 (14), p.1-1 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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6
High-density 1.54μm InAs/InGaAlAs/InP(100) based quantum dots with reduced size inhomogeneity
High-density 1.54μm InAs/InGaAlAs/InP(100) based quantum dots with reduced size inhomogeneity
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High-density 1.54μm InAs/InGaAlAs/InP(100) based quantum dots with reduced size inhomogeneity

Banyoudeh, Saddam ; Reithmaier, Johann Peter

Journal of crystal growth, 2015-09, Vol.425, p.299-302 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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7
High operating temperature mid-infrared InGaAs/GaAs submonolayer quantum dot quantum cascade detectors on silicon
High operating temperature mid-infrared InGaAs/GaAs submonolayer quantum dot quantum cascade detectors on silicon
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High operating temperature mid-infrared InGaAs/GaAs submonolayer quantum dot quantum cascade detectors on silicon

Guo, Daqian ; Huang, Jian ; Benamara, Mourad ; Mazur, Yuriy I. ; Deng, Zhuo ; Salamo, Gregory J. ; Liu, Huiyun ; Chen, Baile ; Wu, Jiang

IEEE journal of quantum electronics, 2023-04, Vol.59 (2), p.1-1 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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8
Room Temperature Triggered Single Photon Emission from Self‐Assembled GaN/AlN Quantum Dot in Nanowire
Room Temperature Triggered Single Photon Emission from Self‐Assembled GaN/AlN Quantum Dot in Nanowire
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Room Temperature Triggered Single Photon Emission from Self‐Assembled GaN/AlN Quantum Dot in Nanowire

Chen, Ling ; Sheng, Bowen ; Sheng, Shanshan ; Wang, Ping ; Sun, Xiaoxiao ; Li, Duo ; Wang, Tao ; Tao, Renchun ; Liu, Shangfeng ; Chen, Zhaoying ; Ge, Weikun ; Shen, Bo ; Wang, Xinqiang

Advanced functional materials, 2022-11, Vol.32 (47), p.n/a [Periódico revisado por pares]

Hoboken: Wiley Subscription Services, Inc

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9
Comparison between InP-based quantum dot lasers with and without tunnel injection quantum well and the impact of rapid thermal annealing
Comparison between InP-based quantum dot lasers with and without tunnel injection quantum well and the impact of rapid thermal annealing
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Comparison between InP-based quantum dot lasers with and without tunnel injection quantum well and the impact of rapid thermal annealing

Bauer, Sven ; Sichkovskyi, Vitalii ; Schnabel, Florian ; Sengül, Anna ; Reithmaier, Johann Peter

Journal of crystal growth, 2019-06, Vol.516, p.34-39 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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10
Monolithic 9 GHz passively mode locked quantum dot lasers directly grown on on-axis (001) Si
Monolithic 9 GHz passively mode locked quantum dot lasers directly grown on on-axis (001) Si
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Monolithic 9 GHz passively mode locked quantum dot lasers directly grown on on-axis (001) Si

Liu, Songtao ; Norman, Justin C. ; Jung, Daehwan ; Kennedy, MJ ; Gossard, Arthur C. ; Bowers, John E.

Applied physics letters, 2018-07, Vol.113 (4) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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