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High efficiency low threshold current 1.3 μm InAs quantum dot lasers on on-axis (001) GaP/Si
High efficiency low threshold current 1.3 μm InAs quantum dot lasers on on-axis (001) GaP/Si
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High efficiency low threshold current 1.3 μm InAs quantum dot lasers on on-axis (001) GaP/Si

Jung, Daehwan ; Norman, Justin ; Kennedy, M. J. ; Shang, Chen ; Shin, Bongki ; Wan, Yating ; Gossard, Arthur C. ; Bowers, John E.

Applied physics letters, 2017-09, Vol.111 (12) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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2
High performance continuous wave 1.3  μ m quantum dot lasers on silicon
High performance continuous wave 1.3  μ m quantum dot lasers on silicon
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High performance continuous wave 1.3  μ m quantum dot lasers on silicon

Liu, Alan Y. ; Zhang, Chong ; Norman, Justin ; Snyder, Andrew ; Lubyshev, Dmitri ; Fastenau, Joel M. ; Liu, Amy W. K. ; Gossard, Arthur C. ; Bowers, John E.

Applied physics letters, 2014-01, Vol.104 (4), p.41104 [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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3
Monolithic 9 GHz passively mode locked quantum dot lasers directly grown on on-axis (001) Si
Monolithic 9 GHz passively mode locked quantum dot lasers directly grown on on-axis (001) Si
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Monolithic 9 GHz passively mode locked quantum dot lasers directly grown on on-axis (001) Si

Liu, Songtao ; Norman, Justin C. ; Jung, Daehwan ; Kennedy, MJ ; Gossard, Arthur C. ; Bowers, John E.

Applied physics letters, 2018-07, Vol.113 (4) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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4
Improved performance of 1.3-μm InAs/GaAs quantum dot lasers by direct Si doping
Improved performance of 1.3-μm InAs/GaAs quantum dot lasers by direct Si doping
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Improved performance of 1.3-μm InAs/GaAs quantum dot lasers by direct Si doping

Lv, Zun-Ren ; Zhang, Zhong-Kai ; Yang, Xiao-Guang ; Yang, Tao

Applied physics letters, 2018-07, Vol.113 (1) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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5
High performance InAs quantum dot lasers on silicon substrates by low temperature Pd-GaAs wafer bonding
High performance InAs quantum dot lasers on silicon substrates by low temperature Pd-GaAs wafer bonding
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High performance InAs quantum dot lasers on silicon substrates by low temperature Pd-GaAs wafer bonding

Wang, Zihao ; Yao, Ruizhe ; Preble, Stefan F. ; Lee, Chi-Sen ; Lester, Luke F. ; Guo, Wei

Applied physics letters, 2015-12, Vol.107 (26) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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6
Small-signal modulation and differential gain of red-emitting (λ = 630 nm) InGaN/GaN quantum dot lasers
Small-signal modulation and differential gain of red-emitting (λ = 630 nm) InGaN/GaN quantum dot lasers
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Small-signal modulation and differential gain of red-emitting (λ = 630 nm) InGaN/GaN quantum dot lasers

Frost, Thomas ; Banerjee, Animesh ; Bhattacharya, Pallab

Applied physics letters, 2013-11, Vol.103 (21) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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7
(In,Ga)As/GaP electrical injection quantum dot laser
(In,Ga)As/GaP electrical injection quantum dot laser
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(In,Ga)As/GaP electrical injection quantum dot laser

Heidemann, M. ; Höfling, S. ; Kamp, M.

Applied physics letters, 2014-01, Vol.104 (1) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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8
InP-based single-photon sources operating at telecom C-band with increased extraction efficiency
InP-based single-photon sources operating at telecom C-band with increased extraction efficiency
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InP-based single-photon sources operating at telecom C-band with increased extraction efficiency

Musiał, A. ; Mikulicz, M. ; Mrowiński, P. ; Zielińska, A. ; Sitarek, P. ; Wyborski, P. ; Kuniej, M. ; Reithmaier, J. P. ; Sęk, G. ; Benyoucef, M.

Applied physics letters, 2021-05, Vol.118 (22) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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9
InAs QDs on (111)-faceted Si (001) hollow substrates with strong emission at 1300 nm and 1550 nm
InAs QDs on (111)-faceted Si (001) hollow substrates with strong emission at 1300 nm and 1550 nm
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InAs QDs on (111)-faceted Si (001) hollow substrates with strong emission at 1300 nm and 1550 nm

Wei, Wen-Qi ; Wang, Jian-Huan ; Zhang, Bin ; Zhang, Jie-Yin ; Wang, Hai-Ling ; Feng, Qi ; Xu, Hong-Xing ; Wang, Ting ; Zhang, Jian-Jun

Applied physics letters, 2018-07, Vol.113 (5) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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10
Density control of GaN quantum dots on AlN single crystal
Density control of GaN quantum dots on AlN single crystal
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Density control of GaN quantum dots on AlN single crystal

Tamariz, Sebastian ; Callsen, Gordon ; Grandjean, Nicolas

Applied physics letters, 2019-02, Vol.114 (8) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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