skip to main content
Idioma:
Refinado por: autor: Martino, J remover autor: Swart, J remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2 micrômetros
Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2 micrômetros
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2 micrômetros

Martino, João Antonio

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 1988-12-21

Acesso online

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Novas Pesquisas Sugeridas

Ignorar minha busca e procurar por tudo

Deste Autor:

  1. Martino, J
  2. Swart, J

Neste Assunto:

  1. Polycrystalline Silicon Gate
  2. Circuitos Integrados
  3. Tecnologia Cmos
  4. Cavidade Dupla
  5. Double-Well

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.