skip to main content
Idioma:
Resultados 1 2 3 4 5 next page
Refinado por: Nome da Publicação: Applied Physics Letters remover assunto: Solid Surfaces And Solid-Solid Interfaces remover Exact Sciences And Technology remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Ideal hydrogen termination of the Si (111) surface
Ideal hydrogen termination of the Si (111) surface
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ideal hydrogen termination of the Si (111) surface

HIGASHI, G. S ; CHABAL, Y. J ; TRUCKS, G. W ; RAGHAVACHARI, K

Applied physics letters, 1990-02, Vol.56 (7), p.656-658 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
Epitaxial diamond thin films on (001) silicon substrates
Epitaxial diamond thin films on (001) silicon substrates
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Epitaxial diamond thin films on (001) silicon substrates

JIANG, X ; KLAGES, C.-P ; ZACHAI, R ; HARTWEG, M ; FÜSSER, H.-J

Applied physics letters, 1993-06, Vol.62 (26), p.3438-3440 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
Dislocations and strain relief in compositionally graded layers
Dislocations and strain relief in compositionally graded layers
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Dislocations and strain relief in compositionally graded layers

TERSOFF, J

Applied physics letters, 1993-02, Vol.62 (7), p.693-695 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
TEXTURED DIAMOND GROWTH ON (100) BETA-SIC VIA MICROWAVE PLASMA CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
TEXTURED DIAMOND GROWTH ON (100) BETA-SIC VIA MICROWAVE PLASMA CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

TEXTURED DIAMOND GROWTH ON (100) BETA-SIC VIA MICROWAVE PLASMA CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION

STONER, BR ; GLASS, JT

Applied physics letters, 1992-02, Vol.60 (6), p.698-700 [Periódico revisado por pares]

WOODBURY: Amer Inst Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
Selective area oxidation of silicon with a scanning force microscope
Selective area oxidation of silicon with a scanning force microscope
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Selective area oxidation of silicon with a scanning force microscope

DAY, H. C ; ALLE, D. R

Applied physics letters, 1993-05, Vol.62 (21), p.2691-2693 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
EPITAXIAL-GROWTH OF TIN FILMS ON (100) SILICON SUBSTRATES BY LASER PHYSICAL VAPOR-DEPOSITION
EPITAXIAL-GROWTH OF TIN FILMS ON (100) SILICON SUBSTRATES BY LASER PHYSICAL VAPOR-DEPOSITION
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

EPITAXIAL-GROWTH OF TIN FILMS ON (100) SILICON SUBSTRATES BY LASER PHYSICAL VAPOR-DEPOSITION

NARAYAN, J ; TIWARI, P ; CHEN ; SINGH, J ; CHOWDHURY, R ; ZHELEVA, T

Applied physics letters, 1992-09, Vol.61 (11), p.1290-1292 [Periódico revisado por pares]

WOODBURY: Amer Inst Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
GROWTH AND STRAIN COMPENSATION EFFECTS IN THE TERNARY SI1-X-YGEXCY ALLOY SYSTEM
GROWTH AND STRAIN COMPENSATION EFFECTS IN THE TERNARY SI1-X-YGEXCY ALLOY SYSTEM
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

GROWTH AND STRAIN COMPENSATION EFFECTS IN THE TERNARY SI1-X-YGEXCY ALLOY SYSTEM

EBERL, K ; IYER, SS ; ZOLLNER, S ; TSANG, JC ; LEGOUES, FK

Applied physics letters, 1992-06, Vol.60 (24), p.3033-3035 [Periódico revisado por pares]

WOODBURY: Amer Inst Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
Arsenic precipitates and the semi-insulating properties of GaAs buffer layers grown by low-temperature molecular beam epitaxy
Arsenic precipitates and the semi-insulating properties of GaAs buffer layers grown by low-temperature molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Arsenic precipitates and the semi-insulating properties of GaAs buffer layers grown by low-temperature molecular beam epitaxy

WARREN, A. C ; WOODALL, J. M ; FREEOUF, J. L ; GRISCHKOWSKY, D ; MCLNTURFF, D. T ; MELLOCH, M. R ; OTSUKA, N

Applied physics letters, 1990-09, Vol.57 (13), p.1331-1333 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
Fabrication of silicon nanostructures with a scanning tunneling microscope
Fabrication of silicon nanostructures with a scanning tunneling microscope
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Fabrication of silicon nanostructures with a scanning tunneling microscope

SNOW, E. S ; CAMPBELL, P. M ; MCMARR, P. J

Applied physics letters, 1993-08, Vol.63 (6), p.749-751 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
Growth of GaAsN alloys by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition using plasma-cracked NH3
Growth of GaAsN alloys by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition using plasma-cracked NH3
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Growth of GaAsN alloys by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition using plasma-cracked NH3

WEYERS, M ; SATO, M

Applied physics letters, 1993-03, Vol.62 (12), p.1396-1398 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
Resultados 1 2 3 4 5 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.