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Radiation hardness of FDSOI and FinFET technologies
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Radiation hardness of FDSOI and FinFET technologies

Alles, M. L. ; Schrimpf, R. D. ; Reed, R. A. ; Massengill, L. W. ; Weller, R. A. ; Mendenhall, M. H. ; Ball, D. R. ; Warren, K. M. ; Loveless, T. D. ; Kauppila, J. S. ; Sierawski, B. D.

IEEE 2011 International SOI Conference, 2011, p.1-2 [Periódico revisado por pares]

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Experimental study of carrier transport in ultra-thin body GeOI MOSFETs
Experimental study of carrier transport in ultra-thin body GeOI MOSFETs
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Lee, C. H. ; Nishimura, T. ; Tabata, T. ; Zhao, D. ; Ifuku, R. ; Nagashio, K. ; Kita, K. ; Toriumi, A.

IEEE 2011 International SOI Conference, 2011, p.1-2 [Periódico revisado por pares]

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Millimeter-wave power amplifiers in 45nm CMOS SOI technology
Millimeter-wave power amplifiers in 45nm CMOS SOI technology
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Millimeter-wave power amplifiers in 45nm CMOS SOI technology

Jing-Hwa Chen ; Helmi, Sultan R. ; Mohammadi, Saeed

IEEE 2011 International SOI Conference, 2011, p.1-2 [Periódico revisado por pares]

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Inverter-based ultra low voltage differential amplifiers
Inverter-based ultra low voltage differential amplifiers
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Inverter-based ultra low voltage differential amplifiers

Vieru, R. G. ; Ghinea, R.

CAS 2011 Proceedings (2011 International Semiconductor Conference), 2011, Vol.2, p.343-346

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Anomalous floating-body effects in SOI MOSFETs: Low-voltage CMOS?
Anomalous floating-body effects in SOI MOSFETs: Low-voltage CMOS?
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Anomalous floating-body effects in SOI MOSFETs: Low-voltage CMOS?

Fossum, J. G. ; Zhichao Lu

IEEE 2011 International SOI Conference, 2011, p.1-2 [Periódico revisado por pares]

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Non-ideal behavior of a comparator-based relaxation oscillator
Non-ideal behavior of a comparator-based relaxation oscillator
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Non-ideal behavior of a comparator-based relaxation oscillator

Pistol, M. ; Mocanu, M. ; Ghinea, R. ; Goras, L.

CAS 2011 Proceedings (2011 International Semiconductor Conference), 2011, Vol.2, p.365-368

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Pre-silicon 22/20 nm compact MOSFET models for bulk vs. FD SOI low-power circuit benchmarks
Pre-silicon 22/20 nm compact MOSFET models for bulk vs. FD SOI low-power circuit benchmarks
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Pre-silicon 22/20 nm compact MOSFET models for bulk vs. FD SOI low-power circuit benchmarks

Bol, D. ; Bernard, S. ; Flandre, D.

IEEE 2011 International SOI Conference, 2011, p.1-2 [Periódico revisado por pares]

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Charge sensitive amplifier study in 2um FD SOI CMOS
Charge sensitive amplifier study in 2um FD SOI CMOS
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Charge sensitive amplifier study in 2um FD SOI CMOS

Yee, L. S. ; Martin, E. ; Cortina, E. ; Renaux, C. ; Flandre, D.

IEEE 2011 International SOI Conference, 2011, p.1-2 [Periódico revisado por pares]

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9
Offset cancellation in bandgap references with CMOS operational amplifiers
Offset cancellation in bandgap references with CMOS operational amplifiers
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Offset cancellation in bandgap references with CMOS operational amplifiers

Vasilica, A-G ; Pristavu, G. ; Pasoi, C. ; Brezeanu, G.

CAS 2011 Proceedings (2011 International Semiconductor Conference), 2011, Vol.2, p.421-424

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A 0.18μm CMOS low power LNA for 6-8.5 GHz UWB receivers
A 0.18μm CMOS low power LNA for 6-8.5 GHz UWB receivers
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A 0.18μm CMOS low power LNA for 6-8.5 GHz UWB receivers

Djugova, A. ; Radic, J. ; Videnovic-Misic, M.

CAS 2011 Proceedings (2011 International Semiconductor Conference), 2011, Vol.1, p.215-218

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