Result Number | Material Type | Add to My Shelf Action | Record Details and Options |
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Material Type: Ata de Congresso
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Radiation hardness of FDSOI and FinFET technologiesAlles, M. L. ; Schrimpf, R. D. ; Reed, R. A. ; Massengill, L. W. ; Weller, R. A. ; Mendenhall, M. H. ; Ball, D. R. ; Warren, K. M. ; Loveless, T. D. ; Kauppila, J. S. ; Sierawski, B. D.IEEE 2011 International SOI Conference, 2011, p.1-2 [Periódico revisado por pares]IEEETexto completo disponível |
2 |
Material Type: Ata de Congresso
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Experimental study of carrier transport in ultra-thin body GeOI MOSFETsLee, C. H. ; Nishimura, T. ; Tabata, T. ; Zhao, D. ; Ifuku, R. ; Nagashio, K. ; Kita, K. ; Toriumi, A.IEEE 2011 International SOI Conference, 2011, p.1-2 [Periódico revisado por pares]IEEETexto completo disponível |
3 |
Material Type: Ata de Congresso
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Millimeter-wave power amplifiers in 45nm CMOS SOI technologyJing-Hwa Chen ; Helmi, Sultan R. ; Mohammadi, SaeedIEEE 2011 International SOI Conference, 2011, p.1-2 [Periódico revisado por pares]IEEETexto completo disponível |
4 |
Material Type: Ata de Congresso
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Inverter-based ultra low voltage differential amplifiersVieru, R. G. ; Ghinea, R.CAS 2011 Proceedings (2011 International Semiconductor Conference), 2011, Vol.2, p.343-346IEEETexto completo disponível |
5 |
Material Type: Ata de Congresso
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Anomalous floating-body effects in SOI MOSFETs: Low-voltage CMOS?Fossum, J. G. ; Zhichao LuIEEE 2011 International SOI Conference, 2011, p.1-2 [Periódico revisado por pares]IEEETexto completo disponível |
6 |
Material Type: Ata de Congresso
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Non-ideal behavior of a comparator-based relaxation oscillatorPistol, M. ; Mocanu, M. ; Ghinea, R. ; Goras, L.CAS 2011 Proceedings (2011 International Semiconductor Conference), 2011, Vol.2, p.365-368IEEETexto completo disponível |
7 |
Material Type: Ata de Congresso
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Pre-silicon 22/20 nm compact MOSFET models for bulk vs. FD SOI low-power circuit benchmarksBol, D. ; Bernard, S. ; Flandre, D.IEEE 2011 International SOI Conference, 2011, p.1-2 [Periódico revisado por pares]IEEETexto completo disponível |
8 |
Material Type: Ata de Congresso
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Charge sensitive amplifier study in 2um FD SOI CMOSYee, L. S. ; Martin, E. ; Cortina, E. ; Renaux, C. ; Flandre, D.IEEE 2011 International SOI Conference, 2011, p.1-2 [Periódico revisado por pares]IEEETexto completo disponível |
9 |
Material Type: Ata de Congresso
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Offset cancellation in bandgap references with CMOS operational amplifiersVasilica, A-G ; Pristavu, G. ; Pasoi, C. ; Brezeanu, G.CAS 2011 Proceedings (2011 International Semiconductor Conference), 2011, Vol.2, p.421-424IEEETexto completo disponível |
10 |
Material Type: Ata de Congresso
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A 0.18μm CMOS low power LNA for 6-8.5 GHz UWB receiversDjugova, A. ; Radic, J. ; Videnovic-Misic, M.CAS 2011 Proceedings (2011 International Semiconductor Conference), 2011, Vol.1, p.215-218IEEETexto completo disponível |