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Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C
Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C

Vanessa Cristina Pereira da Silva João Vitor da Costa Leal; Welder F Perina; João Antonio Martino 1959-; Eddy Simoen; A Veloso; Paula Ghedini Der Agopian

Journal of Integrated Circuits and Systems Porto Alegre v.17, n. 1, p.1-6, 2022

Porto Alegre 2022

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2
Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos.
Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos.

Martino, Marcio Dalla Valle

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2017-11-17

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

3
Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET.
Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET.

Yojo, Leonardo Shimizu

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2018-02-08

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4
Filmes de poli (3-hexiltiofeno) (P3HT) para transistores de filmes finos orgânicos utilizados como sensores.
Filmes de poli (3-hexiltiofeno) (P3HT) para transistores de filmes finos orgânicos utilizados como sensores.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Filmes de poli (3-hexiltiofeno) (P3HT) para transistores de filmes finos orgânicos utilizados como sensores.

Cavallari, Marco Roberto

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2014-06-05

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

5
Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio.
Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio.

Sivieri, Victor De Bodt

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2016-02-26

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

6
Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D).
Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D).
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D).

Santos, Sara Dereste Dos

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2014-02-10

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

7
Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet .
Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet .
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet .

Rangel, Ricardo Cardoso

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2022-08-11

Acesso online

8
Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB.
Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB.

Mori, Carlos Augusto Bergfeld

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2018-02-09

Acesso online

9
Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados.
Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados.

Silva, Vanessa Cristina Pereira Da

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2018-02-05

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

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Deste Autor:

  1. Martino, J
  2. Agopian, P
  3. Silva, V
  4. Yojo, L
  5. Rangel, R

Neste Assunto:

  1. Microeletrônica
  2. Transistors
  3. Band-To-Band Tunneling
  4. Finfet
  5. Tfet

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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