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Material Type: Artigo
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Effect of iron substitution on electronic conductivity of bismuth sesquioxide glassesMitsui, Kazuki ; Hu, Zhongxu ; Hanzawa, Kota ; Katase, Takayoshi ; Hiramatsu, Hidenori ; Saitoh, AkiraJournal of applied physics, 2023-08, Vol.134 (7) [Periódico revisado por pares]Melville: American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Hydrogen adsorption and anomalous electronic properties of nitrogen-doped grapheneFujimoto, Yoshitaka ; Saito, SusumuJournal of applied physics, 2014-04, Vol.115 (15) [Periódico revisado por pares]Melville: American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Bayesian inference in band excitation scanning probe microscopy for optimal dynamic model selection in imagingVasudevan, Rama K. ; Kelley, Kyle P. ; Eliseev, Eugene ; Jesse, Stephen ; Funakubo, Hiroshi ; Morozovska, Anna ; Kalinin, Sergei V.Journal of applied physics, 2020-08, Vol.128 (5), p.54105 [Periódico revisado por pares]Melville: American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Analysis of pentacene field effect transistor as a Maxwell-Wagner effect elementTamura, Ryousuke ; Lim, Eunju ; Manaka, Takaaki ; Iwamoto, MitsumasaJournal of applied physics, 2006-12, Vol.100 (11) [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Nanoscale structural heterogeneity in Ni-rich half-Heusler TiNiSnDouglas, Jason E. ; Chater, Philip A. ; Brown, Craig M. ; Pollock, Tresa M. ; Seshadri, RamJournal of applied physics, 2014-10, Vol.116 (16) [Periódico revisado por pares]Melville: American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Local C–V mapping for ferroelectrics using scanning nonlinear dielectric microscopyHiranaga, Yoshiomi ; Mimura, Takanori ; Shimizu, Takao ; Funakubo, Hiroshi ; Cho, YasuoJournal of applied physics, 2020-12, Vol.128 (24) [Periódico revisado por pares]Melville: American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Reinvestigation of high pressure polymorphism in hafnium metalPandey, K. K. ; Gyanchandani, Jyoti ; Somayazulu, M. ; Dey, G. K. ; Sharma, Surinder M. ; Sikka, S. K.Journal of applied physics, 2014-06, Vol.115 (23) [Periódico revisado por pares]Melville: American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Random telegraph signals by alkanethiol-protected Au nanoparticles in chemically assembled single-electron transistorsKano, Shinya ; Azuma, Yasuo ; Tanaka, Daisuke ; Sakamoto, Masanori ; Teranishi, Toshiharu ; Smith, Luke W. ; Smith, Charles G. ; Majima, YutakaJournal of applied physics, 2013-12, Vol.114 (22) [Periódico revisado por pares]Melville: American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Liquid crystalline thin films as a precursor for polycrystalline thin films aimed at field effect transistorsIino, Hiroaki ; Hanna, Jun-ichiJournal of applied physics, 2011-04, Vol.109 (7), p.074505-074505-5 [Periódico revisado por pares]American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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First-principles study of native point defects in crystalline indium gallium zinc oxideOmura, Hideyuki ; Kumomi, Hideya ; Nomura, Kenji ; Kamiya, Toshio ; Hirano, Masahiro ; Hosono, HideoJournal of applied physics, 2009-05, Vol.105 (9), p.093712-093712-8 [Periódico revisado por pares]American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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