1 Resultados para Busca Geral
Ordenado por:
Ordenado por:
RelevânciaOr hit Enter to replace sort method
- Relevância
- Data mais recente
- Data mais antiga
- Mais acessados
- Autor
- Título
Refinado por:
Nome da Publicação:
Applied Physics Letters
| Result Number | Material Type | Add to My Shelf Action | Record Details and Options |
|---|---|---|---|
| 1 |
Material Type: Artigo
|
|
Vertically integrated silicon-germanium nanowire field-effect transistorRosaz, G. ; Salem, B. ; Pauc, N. ; Potié, A. ; Gentile, P. ; Baron, T.Applied physics letters, 2011-11, Vol.99 (19), p.193107-193107-3 [Periódico revisado por pares]American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
Página Inicial
RSS
Feed
Políticas
Fale Conosco-
Realização:
Logos de Redes Sociais: 