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Material Type: Artigo
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Planar Hall effect sensor for magnetic micro- and nanobead detectionEjsing, L. ; Hansen, M. F. ; Menon, A. K. ; Ferreira, H. A. ; Graham, D. L. ; Freitas, P. P.Applied physics letters, 2004-06, Vol.84 (23), p.4729-4731 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Radiation of spin waves by a single micrometer-sized magnetic elementDemidov, Vladislav E. ; Demokritov, Sergej O. ; Hillebrands, Burkard ; Laufenberg, Markus ; Freitas, Paulo P.Applied physics letters, 2004-10, Vol.85 (14), p.2866-2868 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
3 |
Material Type: Artigo
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Giant intrinsic thermomagnetic effects in thin MgO magnetic tunnel junctionsTeixeira, J. M. ; Costa, J. D. ; Ventura, J. ; Fernandez-Garcia, M. P. ; Azevedo, J. ; Araujo, J. P. ; Sousa, J. B. ; Wisniowski, P. ; Cardoso, S. ; Freitas, P. P.Applied physics letters, 2013-05, Vol.102 (21) [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
4 |
Material Type: Artigo
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Size dependence of the exchange bias field in NiO/Ni nanostructuresFraune, M. ; Rüdiger, U. ; Güntherodt, G. ; Cardoso, S. ; Freitas, P.Applied physics letters, 2000-12, Vol.77 (23), p.3815-3817 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
5 |
Material Type: Artigo
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Near-bandedge cathodoluminescence of an AlN homoepitaxial filmSilveira, E. ; Freitas, J. A. ; Kneissl, M. ; Treat, D. W. ; Johnson, N. M. ; Slack, G. A. ; Schowalter, L. J.Applied physics letters, 2004-05, Vol.84 (18), p.3501-3503 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
6 |
Material Type: Artigo
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Large tunneling magnetoresistance enhancement by thermal annealSousa, R. C. ; Sun, J. J. ; Soares, V. ; Freitas, P. P. ; Kling, A. ; da Silva, M. F. ; Soares, J. C.Applied physics letters, 1998-11, Vol.73 (22), p.3288-3290 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
7 |
Material Type: Artigo
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Resistive switching in nanostructured thin filmsSilva, H. ; Gomes, H. L. ; Pogorelov, Yu G. ; Stallinga, P. ; de Leeuw, D. M. ; Araujo, J. P. ; Sousa, J. B. ; Meskers, S. C. J. ; Kakazei, G. ; Cardoso, S. ; Freitas, P. P.Applied physics letters, 2009-05, Vol.94 (20), p.202107-202107-3 [Periódico revisado por pares]American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Properties of Si-doped GaN films grown using multiple AlN interlayersKoleske, D. D. ; Twigg, M. E. ; Wickenden, A. E. ; Henry, R. L. ; Gorman, R. J. ; Freitas, J. A. ; Fatemi, M.Applied physics letters, 1999-11, Vol.75 (20), p.3141-3143 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
9 |
Material Type: Artigo
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MICROLUMINESCENCE DEPTH PROFILES AND ANNEALING EFFECTS IN POROUS SILICONPROKES, SM ; FREITAS, JA ; SEARSON, PCApplied physics letters, 1992-06, Vol.60 (26), p.3295-3297 [Periódico revisado por pares]WOODBURY: Amer Inst PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Enhancement of electrical and structural properties of GaN layers grown on vicinal-cut, a -plane sapphire substratesFatemi, M. ; Wickenden, A. E. ; Koleske, D. D. ; Twigg, M. E. ; Freitas, J. A. ; Henry, R. L. ; Gorman, R. J.Applied physics letters, 1998-08, Vol.73 (5), p.608-610 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |