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1
Relaxacao de dipolos induzida por luz em 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' do tipo-n
Relaxacao de dipolos induzida por luz em 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' do tipo-n
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Relaxacao de dipolos induzida por luz em 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' do tipo-n

L. Oliveira L V A Scalvi; Máximo Siu Li; Brazilian Meeting on Condensed Matter Physics (18. 1995 Caxambu)

Extended Abstracts: Working Group on the Physics of Semiconductors 1995

Caxambu 1995

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD003602 ) e outros locais(Acessar)

2
Morphology changes induced by laser on DR13 films prepared by physical vacuum deposition (PVD)
Morphology changes induced by laser on DR13 films prepared by physical vacuum deposition (PVD)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Morphology changes induced by laser on DR13 films prepared by physical vacuum deposition (PVD)

J. R. Silva Nara Crsitina de Souza; David Sotero dos Santos Junior; C. A Rodrigues; F. S. de Vicente; Alexandre Marletta; Máximo Siu Li; Osvaldo Novais de Oliveira Junior; José Alberto Giacometti; International Conference on Science and Technology of Synthetic Metals - ICSM 2002 (2002 Shanghai)

Shanghai: Fudan University, Research Center for Theoretical Physic, 2002 Book of abstracts

Shanghai Fudan University, Research Center for Theoretical Physics 2002

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD008038 ) e outros locais(Acessar)

3
Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe)
Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Magnetotransport properties of epitaxial 'SN''AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown on 'SI' by metalorganic vapor phase epitaxy (movpe)

Pierre Basmaji Máximo Siu Li; G L Allan; D Lavielle; J C Portal; Brazilian School of Semiconductor Physics (4. 1989 Belo Horizonte)

Proceedings Singapore : World Scientific, 1990

Singapore World Scientific 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000978 ) e outros locais(Acessar)

4
Dipole relaxation current in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'
Dipole relaxation current in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Dipole relaxation current in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'

L V A Scalvi L Oliveira; Máximo Siu Li; MRS Fall Meeting (1993 Boston); Symposium L: Physics and Aplications of Defects in Advanced Semiconductors (1993 Boston)

Materials Research Society Symposium Proceedings Pittsburgh : Materials Research Society - MRS, 1994 v. 325

Pittsburgh Materials Research Society - MRS 1994

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD003018 ) e outros locais(Acessar)

5
Light and thermal excitation of depolarization current in indirect bandgap 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'
Light and thermal excitation of depolarization current in indirect bandgap 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Light and thermal excitation of depolarization current in indirect bandgap 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'

L V A Scalvi L Oliveira; Máximo Siu Li; Brazilian Workshop on Semiconductor Physics (7. 1995 Rio de Janeiro)

Abstracts 1995

Rio de Janeiro 1995

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD003739 ) e outros locais(Acessar)

6
Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy
Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy

A A Bernussi F Iikawa; P Motisuke; Pierre Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito

New York v.67, n.9 , p.4149-51, mai. 1990 Journal of Applied Physics

New York 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000861 )(Acessar)

7
Dipole relaxation current in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'
Dipole relaxation current in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Dipole relaxation current in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'

L V A Scalvi L Oliveira; E Minami; Máximo Siu Li

New York v.63, n.19, p.2658-60, nov. 1993 Applied Physics Letters

New York 1993

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD002780 )(Acessar)

8
Photoinduced conductivity in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X' at low temperature
Photoinduced conductivity in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X' at low temperature
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Photoinduced conductivity in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X' at low temperature

L V A Scalvi L Oliveira; E Minami; Marcos Henrique Degani; Máximo Siu Li

Sao Paulo v.24, n.1 , p.379-84, mar. 1994 Brazilian Journal of Physics

São Paulo 1994

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD002848 )(Acessar)

9
Light and thermal excitation of depolarization current in indirect bandgap 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'
Light and thermal excitation of depolarization current in indirect bandgap 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Light and thermal excitation of depolarization current in indirect bandgap 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'

L V A Scalvi L Oliveira; Máximo Siu Li

Sao Paulo v.26, n.1 , p.239-44, mar. 1996 Brazilian Journal of Physics

São Paulo 1996

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD003880 )(Acessar)

10
Spectroscopic study of Nd-doped amorphous SiN films
Spectroscopic study of Nd-doped amorphous SiN films
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Spectroscopic study of Nd-doped amorphous SiN films

C. T. M. Ribeiro Máximo Siu Li; Antonio Ricardo Zanatta

Journal of Applied Physics Melville v. 96, n. 2, p. 1068-1073, Jul. 2004

Melville 2004

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD009866 )(Acessar)

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Deste Autor:

  1. Siu Li, M
  2. Scalvi, L
  3. Longo, E
  4. Oliveira, L
  5. De Camargo, A

Neste Assunto:

  1. Fotoluminescência
  2. Filmes Finos
  3. Matéria Condensada
  4. Laser
  5. Matéria Condensada (Propriedades Elétricas)

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