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1
Free Vibration Analysis of Curvilinear-Stiffened Plates and Experimental Validation
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Artigo
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Free Vibration Analysis of Curvilinear-Stiffened Plates and Experimental Validation

Tamijani, Ali Yeilaghi ; McQuigg, Thomas ; Kapania, Rakesh K

Journal of aircraft, 2010-01, Vol.47 (1), p.192-200 [Periódico revisado por pares]

Reston, VA: American Institute of Aeronautics and Astronautics

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2
Field plate engineering for GaN-based Schottky barrier diodes
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Field plate engineering for GaN-based Schottky barrier diodes

雷勇 石宏彪 陆海 陈敦军 张荣 郑有炓

Journal of semiconductors, 2013-05, Vol.34 (5), p.79-86 [Periódico revisado por pares]

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3
Effect of annealing process on the surface roughness in multiple Al implanted 4H-SiC
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Effect of annealing process on the surface roughness in multiple Al implanted 4H-SiC

吴海雷 孙国胜 杨挺 闫果果 王雷 赵万顺 刘兴昉 曾一平 温家良

Journal of semiconductors, 2011-07, Vol.32 (7), p.5-8 [Periódico revisado por pares]

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4
Research on the diamond MISFET
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Research on the diamond MISFET

Zhou, Jianjun ; Bai, Song ; Kong, Cen ; Geng, Xijiao ; Lu, Haiyan ; Kong, Yuechan ; Chen, Tangsheng

Journal of semiconductors, 2013-03, Vol.34 (3), p.48-50, Article 034006 [Periódico revisado por pares]

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5
Low threading dislocation density in GaN films grown on patterned sapphire substrates
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Artigo
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Low threading dislocation density in GaN films grown on patterned sapphire substrates

梁萌 王国宏 李鸿渐 李志聪 姚然 王兵 李盼盼 李璟 伊晓燕 王军喜 李晋闽

Journal of semiconductors, 2012-11, Vol.33 (11), p.24-27 [Periódico revisado por pares]

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6
Analysis of the ohmic contacts of Ti/Al/Ni/Au to AlGaN/GaN HEMTs by the multi-step annealing process
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Analysis of the ohmic contacts of Ti/Al/Ni/Au to AlGaN/GaN HEMTs by the multi-step annealing process

颜伟 张仁平 杜彦东 韩伟华 杨富华

Journal of semiconductors, 2012-06, Vol.33 (6), p.31-36 [Periódico revisado por pares]

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7
Effect of Adding Elements on Microstructure of Mg-3Si Alloy
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Effect of Adding Elements on Microstructure of Mg-3Si Alloy

Cui, Bin ; Yang, Liu ; Deng, Yun-lai ; Tan, Jun ; Zhang, Qian ; Wang, Ting

Cai liao gong cheng = Journal of materials engineering, 2017-03, Vol.45 (3), p.95-101 [Periódico revisado por pares]

Journal of Materials Engineering

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8
Boron removal from molten silicon using sodium-based slags
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Boron removal from molten silicon using sodium-based slags

尹长浩 胡冰峰 黄新明

Journal of semiconductors, 2011-09, Vol.32 (9), p.12-15 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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9
Capacitance and conductance dispersion in AlGaN/GaN heterostructure
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Capacitance and conductance dispersion in AlGaN/GaN heterostructure

Yan, Dawei ; Wang, Fuxue ; Zhu, Zhaomin ; Cheng, Jianmin ; Gu, Xiaofeng

Journal of semiconductors, 2013, Vol.34 (1), p.35-38 [Periódico revisado por pares]

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10
Design and fabrication of a MEMS Lamb wave device based on ZnO thin film
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Design and fabrication of a MEMS Lamb wave device based on ZnO thin film

刘梦伟 李俊红 马军 汪承灏

Journal of semiconductors, 2011-04, Vol.32 (4), p.77-82 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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