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1
Dopant interaction with a dislocation in silicon local and non-local effects
Dopant interaction with a dislocation in silicon local and non-local effects
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Dopant interaction with a dislocation in silicon local and non-local effects

Alex Antonelli João Francisco Justo Filho 1966-; Adalberto Fazzio

Physica B Amsterdam v. 308, p. 470-473, 2001

Amsterdam 2001

Acesso online

2
Dopant interaction with a dislocation in silicon local and non-local effects
Dopant interaction with a dislocation in silicon local and non-local effects
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Dopant interaction with a dislocation in silicon local and non-local effects

Alex Antonelli João Francisco Justo Filho 1966-; Adalberto Fazzio

Physica B Amsterdam v. 308, p. 470-473, 2001

Amsterdam 2001

Acesso online

3
The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide
The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide

T M Schmidt João Francisco Justo Filho 1966-; Adalberto Fazzio

Journal of Physics-Condensed Matter Bristol v. 12, n. 49, p. 10235-10239, 2000

Bristol 2000

Acesso online

4
The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide
The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide

T M Schmidt João Francisco Justo Filho 1966-; Adalberto Fazzio

Journal of Physics-Condensed Matter Bristol v. 12, n. 49, p. 10235-10239, 2000

Bristol 2000

Acesso online

5
The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide
The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide

T M Schmidt João Francisco Justo Filho 1966-; Adalberto Fazzio

Journal of Physics-Condensed Matter Bristol v. 12, n. 49, p. 10235-10239, 2000

Bristol 2000

Acesso online

6
Structural and electronic properties of a-SiN
Structural and electronic properties of a-SiN
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Structural and electronic properties of a-SiN

F B Mota João Francisco Justo Filho 1966-; A Fazzio; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (21. 1998 Caxambu)

Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Física, 1998

São Paulo Sociedade Brasileira de Física 1998

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7
Difusao de impurezas em semicondutores tipo iv
Difusao de impurezas em semicondutores tipo iv
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Difusao de impurezas em semicondutores tipo iv

João Francisco Justo Filho 1966- Marília Junqueira Caldas; A Fazzio; Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (15. 1992 Caxambu)

Programa e Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Fisica, 1992

São Paulo Sociedade Brasileira de Fisica 1992

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8
Electronic properties of 'a-SiN IND.X'(1.0 < x < 1.8) an ab initio investigation
Electronic properties of 'a-SiN IND.X'(1.0 < x < 1.8) an ab initio investigation
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Electronic properties of 'a-SiN IND.X'(1.0 < x < 1.8) an ab initio investigation

Fernando de Brito Mota Adalberto Fazzio; João Francisco Justo Filho 1966-; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (23. 2000 São Lourenço)

Resumos São Paulo : SBF, 2000

São Paulo SBF 2000

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9
Propriedades estruturais e eletr&#244;nicas do nitreto de sil&#237;cio amorfo hidrogenado
Propriedades estruturais e eletr&#244;nicas do nitreto de sil&#237;cio amorfo hidrogenado
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado

Fernando de Brito Mota João Francisco Justo Filho 1966-; Adalberto Fazzio; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (22. 1999 São Lourenço)

Resumos São Paulo : SBF, 1999

São Paulo SBF 1999

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10
Propriedades estruturais e eletr&#244;nicas do nitreto de sil&#237;cio amorfo hidrogenado para v&#225;rias concentra&#231;&#245;es de nitrog&#234;nio
Propriedades estruturais e eletr&#244;nicas do nitreto de sil&#237;cio amorfo hidrogenado para v&#225;rias concentra&#231;&#245;es de nitrog&#234;nio
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado para várias concentrações de nitrogênio

Fernando de Brito Mota João Francisco Justo Filho 1966-; Adalberto Fazzio; Encontro de Físicos do Norte e Nordeste (17. 1999 Recife)

Programa e Resumos São Paulo : SBF, 1999

São Paulo SBF 1999

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Deste Autor:

  1. Fazzio, A
  2. Justo Filho, J
  3. Antonelli, A
  4. Mota, F
  5. Schmidt, T

Neste Assunto:

  1. Matéria Condensada
  2. Semicondutores
  3. Estrutura Eletrônica
  4. Física
  5. Materiais (Propriedades Elétricas)

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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