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Refinado por: Nome da Publicação: Physica. B, Condensed Matter remover
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1
Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes
Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes

Fagan, Solange B. ; Mota, R. ; da Silva, Antônio.J.R. ; Fazzio, A.

Physica. B, Condensed matter, 2003-12, Vol.340-342, p.982-985 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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2
Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium
Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium

Janotti, A ; Baierle, R ; da Silva, Antônio J.R ; Mota, R ; Fazzio, A

Physica. B, Condensed matter, 1999-12, Vol.273-274, p.575-578 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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3
Electronic structure and origin of ferromagnetism in Ga1−xMnxAs semiconductors
Electronic structure and origin of ferromagnetism in Ga1−xMnxAs semiconductors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Electronic structure and origin of ferromagnetism in Ga1−xMnxAs semiconductors

da Silva, Antônio J.R. ; Fazzio, A. ; dos Santos, Raimundo R. ; Oliveira, Luiz E.

Physica. B, Condensed matter, 2003-12, Vol.340-342, p.874-877 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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4
Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon
Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon

Justo, J.F ; Antonelli, A ; Schmidt, T.M ; Fazzio, A

Physica. B, Condensed matter, 1999-12, Vol.273-274, p.473-475 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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5
Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors
Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors

Justo, J.F ; Schmidt, T.M ; Fazzio, A ; Antonelli, A

Physica. B, Condensed matter, 2001, Vol.302, p.403-407 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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6
Native defects in germanium
Native defects in germanium
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Native defects in germanium

da Silva, Antônio J.R ; Baierle, R ; Mota, R ; Fazzio, A

Physica. B, Condensed matter, 2001, Vol.302, p.364-368 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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7
Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects
Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects

Antonelli, Alex ; Justo, Joa~ao F. ; Fazzio, A.

Physica. B, Condensed matter, 2001-12, Vol.308, p.470-473 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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8
The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility
The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility
Material Type:
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The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility

Justo, João F ; Antonelli, A ; Fazzio, A

Physica. B, Condensed matter, 2001, Vol.302, p.398-402, Article 398 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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9
Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers
Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers

Dalpian, G.M ; Janotti, A ; Fazzio, A ; da Silva, Antônio J.R

Physica. B, Condensed matter, 1999-12, Vol.273-274, p.589-592 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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10
Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of PIn antisites
Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of PIn antisites
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of PIn antisites

Schmidt, T.M ; Miwa, R.H ; Fazzio, A ; Mota, R

Physica. B, Condensed matter, 1999-12, Vol.273-274, p.831-834 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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