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Finite superlattice with a localized state: A possible new submillimeter wave emitter, in a numerical simulation
Finite superlattice with a localized state: A possible new submillimeter wave emitter, in a numerical simulation
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Finite superlattice with a localized state: A possible new submillimeter wave emitter, in a numerical simulation

Manzoli, José E. ; Hipólito, O.

Microelectronic engineering, 1998-08, Vol.43-44, p.221-227 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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2
On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFETs
On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFETs
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On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFETs

Manzoli, J.E. ; Romero, M.A. ; Hipolito, O.

IEEE journal of quantum electronics, 1998-12, Vol.34 (12), p.2314-2320 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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3
Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium delta-doped GaAs
Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium delta-doped GaAs
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Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium delta-doped GaAs

Basmaji, P. ; Notari, A.C. ; Schrappe, B. ; Degani, M.H. ; Ioriatti, L. ; Hipólito, O.

Surface science, 1992-02, Vol.263 (1), p.231-233 [Periódico revisado por pares]

AMSTERDAM: Elsevier B.V

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4
Numerical gate capacitance–voltage characteristics and electronic structure of MBE silicon delta-FETs
Numerical gate capacitance–voltage characteristics and electronic structure of MBE silicon delta-FETs
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Numerical gate capacitance–voltage characteristics and electronic structure of MBE silicon delta-FETs

Manzoli, José E ; Hipólito, O

Microelectronic engineering, 1998-08, Vol.43-44, p.661-667 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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5
Interaction of optical phonons with electrons in GaAs quantum wires
Interaction of optical phonons with electrons in GaAs quantum wires
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Interaction of optical phonons with electrons in GaAs quantum wires

Degani, M.H. ; Hipólito, O.

Solid state communications, 1988-03, Vol.65 (10), p.1185-1187 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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6
MBE growth and characterization of δ-doping in GaAs and GaAs/Si
MBE growth and characterization of δ-doping in GaAs and GaAs/Si
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MBE growth and characterization of δ-doping in GaAs and GaAs/Si

Basmaji, P. ; Ceschin, A.M. ; Siu Li, M. ; Hipólito, O. ; Bernussi, A.A. ; IIkawa, F. ; Motisuke, P.

Surface science, 1990-04, Vol.228 (1), p.356-358 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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7
Magnetopolarons in quasi-one-dimensional quantum-well wires
Magnetopolarons in quasi-one-dimensional quantum-well wires
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Magnetopolarons in quasi-one-dimensional quantum-well wires

Wendler, L ; Chaplik, A V ; Hipolito, O

Journal of physics. Condensed matter, 1993-07, Vol.5 (27), p.4817-4828 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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8
Polaron effects on excitons in GaAs-Ga1-xAlxAs quantum wells
Polaron effects on excitons in GaAs-Ga1-xAlxAs quantum wells
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Polaron effects on excitons in GaAs-Ga1-xAlxAs quantum wells

DEGANI, M. H ; HIPOLITO, O

Physical review. B, Condensed matter, 1987-03, Vol.35 (9), p.4507-4510 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Physical Society

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9
Heavily Se spike-doped GaAs grown by molecular beam epitaxy
Heavily Se spike-doped GaAs grown by molecular beam epitaxy
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Heavily Se spike-doped GaAs grown by molecular beam epitaxy

Notari, A.C. ; Schrappe, B. ; Basmaji, P. ; Hipólito, O.

Journal of crystal growth, 1992-02, Vol.116 (3), p.518-520 [Periódico revisado por pares]

AMSTERDAM: Elsevier B.V

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10
Photoreflectance measurements on Si δ-doped GaAs samples grown by molecular-beam epitaxy
Photoreflectance measurements on Si δ-doped GaAs samples grown by molecular-beam epitaxy
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Photoreflectance measurements on Si δ-doped GaAs samples grown by molecular-beam epitaxy

BERNUSSI, A. A ; IIKAWA, F ; MOTISUKE, P ; BASMAJI, P ; SIU LI, M ; HIPOLITO, O

Journal of applied physics, 1990-05, Vol.67 (9), p.4149-4151 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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