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1
Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos.
Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos.

Martino, Marcio Dalla Valle

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2017-11-17

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

2
Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETS ultra-submicrométricos.
Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETS ultra-submicrométricos.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETS ultra-submicrométricos.

Agopian, Paula Ghedini Der

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2008-11-27

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3
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados.
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados.

Nascimento, Vinicius Mesquita Do

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2017-02-17

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

4
Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios
Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios

Nogueira, Alexandro De Moraes

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2020-08-21

Acesso online

5
Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs.
Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs.

Sousa, Bruna Ramos De

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2021-08-06

Acesso online

6
Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio.
Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio.

Oliveira, Alberto Vinicius De

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2016-12-13

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

7
Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores.
Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores.

Macambira, Christian Nemeth

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2021-07-27

Acesso online

8
Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas.
Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas.

Leal, João Vitor Da Costa

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2022-03-02

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

9
Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor.
Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor.

Mori, Carlos Augusto Bergfeld

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2023-09-26

Acesso online

10
Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas.
Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas.

Bordallo, Caio Cesar Mendes

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2017-11-24

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

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Deste Autor:

  1. Agopian, P
  2. Martino, J
  3. Simoen, E
  4. Claeys, C
  5. Rooyackers, R

Neste Assunto:

  1. Transistores
  2. Microeletrônica
  3. Semicondutores
  4. Circuitos Analógicos
  5. Silício

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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