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1
An improved current model for edgeless SOI MOSFETs
An improved current model for edgeless SOI MOSFETs
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

An improved current model for edgeless SOI MOSFETs

Renato Camargo Giacomini João Antonio Martino 1959-

Martino J.A. ed ; Pavanello, M.A. ed ; Morimoto, N.I. ed Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003 Pennington : Electrochemical Society, 2003

Pennington Electrochemical Society 2003

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2
Estudo de transistores avançados de canal tensionado.
Estudo de transistores avançados de canal tensionado.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores avançados de canal tensionado.

Bühler, Rudolf Theoderich

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2014-10-17

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

3
Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET.
Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET.

Rangel, Ricardo Cardoso

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2014-02-10

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

4
Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet .
Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet .
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet .

Rangel, Ricardo Cardoso

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2022-08-11

Acesso online

5
Combined 'delta' L and series resistance extraction of LDD MOSFETs at 77K
Combined 'delta' L and series resistance extraction of LDD MOSFETs at 77K
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Combined 'delta' L and series resistance extraction of LDD MOSFETs at 77K

R Schreutelkamp João Antonio Martino 1959-; Eddy Simoen; L Deferm; Cor Claeys

Claeys, C.L.; Raider, S.I.; Brown, W.D.; Kirschman, R.K. Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity Pennington: The Electrochemical Society, 1995

Pennington The Electrochemical Society 1995

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6
Aplicacoes de transistores
Aplicacoes de transistores
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Aplicacoes de transistores

R E Caetano João Antonio Martino 1959-; Congresso de Iniciacao Cientifica e Tecnologica em Engenharia (13. 1994 São Carlos)

Anais Cicte-94 São Carlos : Cetepe, 1994

Sao Carlos Cetepe 1994

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7
A simple model for a new SOI MOSFET with asymmetric trapezoidal gate
A simple model for a new SOI MOSFET with asymmetric trapezoidal gate
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A simple model for a new SOI MOSFET with asymmetric trapezoidal gate

Renato Camargo Giacomini João Antonio Martino 1959-; Workshop IBERSHIP (9. 2003 Havana, Cuba)

Proceedings

Havana 2003

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8
An improved model for the triangular SOI misalignment test structure
An improved model for the triangular SOI misalignment test structure
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

An improved model for the triangular SOI misalignment test structure

Renato Camargo Giacomini João Antonio Martino 1959-; Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO (19. 2004 Porto Galinhas)

Santos, E. J. B.; Ribas, R. P.; Swart, J. eds Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03 Pennington : The Electrochemical Society, 2004

Pennington The Electrochemical Society 2004

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9
A simple method to model nonrectangular-gate layout in SOI MOSFETs
A simple method to model nonrectangular-gate layout in SOI MOSFETs
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A simple method to model nonrectangular-gate layout in SOI MOSFETs

Renato Camargo Giacomini João Antonio Martino 1959-; International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO (20. 2005 Florianópolis)

Claeys, C.; Swart, J. W.; Morimoto, N. I.; Verdonck, P., eds. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005 Pennington : The Electrochemical Society, 2005. Proceedings v. 2005-08

Pennington The Electrochemical Society 2005

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10
Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte.
Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte.

Carvalho, Henrique Lanfredi

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2023-03-24

Acesso online

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Deste Autor:

  1. Martino, J
  2. Agopian, P
  3. Simoen, E
  4. Claeys, C
  5. Rooyackers, R

Neste Assunto:

  1. Microeletrônica
  2. Transistores
  3. Semicondutores
  4. Circuitos Analógicos
  5. Silício

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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