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11
Determination of the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-NMOS gate capacitor
Determination of the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-NMOS gate capacitor
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Determination of the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-NMOS gate capacitor

Victor Sonnenberg João Antonio Martino 1959-; International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002 (17 2002 Porto Alegre, RS)

Morimoto, N.I.; Ribas, R.P.; Verdonck, P.B., eds Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002 Pennington : The Electrochemical Society, 2002

Pennington The Electrochemical Society 2002

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12
A low power CMOS LNA design using geometric programming
A low power CMOS LNA design using geometric programming
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A low power CMOS LNA design using geometric programming

Sergio Chaparro Armando Ayala Pabón; Elkim Roa; Wilhelmus Adrianus Maria Van Noije 1951-; IBERCHIP (15. Buenos Aires, Argentina) 2009

Proceedings: IBERCHIP 2009 Buenos Aires : IBERCHIP, 2009

Buenos Aires IBERCHIP 2009

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13
Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2003
Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2003
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2003

João Antonio Martino 1959- Marcelo Antonio Pavanello; Nilton Itiro Morimoto 1962-; International Symposium on Microelectronics Technology and Devices (18. 2003 São Paulo)

SBMicro proceedings

Pennington Electrochemical Society 2003

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14
Escoamento de filmes de psg para processamento térmico rápido em ambiente de vácuo
Escoamento de filmes de psg para processamento térmico rápido em ambiente de vácuo
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Escoamento de filmes de psg para processamento térmico rápido em ambiente de vácuo

Sebastião Gomes dos Santos Filho 1962- Jacobus Willibrordus Swart 1950-; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica (2. 1987 São Paulo)

Anais São Paulo : Sbmicro/Epusp, 1987

São Paulo Sbmicro/Epusp 1987

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15
The temperature mobility degradation influence on the ZTC of PD and FD SOI MOSFETs
The temperature mobility degradation influence on the ZTC of PD and FD SOI MOSFETs
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

The temperature mobility degradation influence on the ZTC of PD and FD SOI MOSFETs

Luciano Mendes Camillo João Antonio Martino 1959-; Eddy Simoen; Cor Claeys; International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices (12 2005 Quebec, Canada)

Celler,G.K; Cristoloveanu, S.; Gámiz, F.; Fossum, J.G.; Izumi, K. International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices XII: proceedings Pennington: The Electrochemical Society, 2005

Pennington The Electrochemical Society 2005

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16
An improved current model for edgeless SOI MOSFETs
An improved current model for edgeless SOI MOSFETs
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

An improved current model for edgeless SOI MOSFETs

Renato Camargo Giacomini João Antonio Martino 1959-

Martino J.A. ed ; Pavanello, M.A. ed ; Morimoto, N.I. ed Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003 Pennington : Electrochemical Society, 2003

Pennington Electrochemical Society 2003

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17
Study of series resistance and effective channel length behavior comparing graded-channel and conventional SOI nMOSFETs
Study of series resistance and effective channel length behavior comparing graded-channel and conventional SOI nMOSFETs
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Study of series resistance and effective channel length behavior comparing graded-channel and conventional SOI nMOSFETs

Galba Falce de Almeida Aparecido Sirley Nicolett; João Antonio Martino 1959-

Martino J.A. ed ; Pavanello, M.A. ed ; Morimoto, N.I. ed Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003 Pennington : Electrochemical Society, 2003

Pennington Electrochemical Society 2003

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18
Analysis of the capacitance vs. voltage in graded channel SOI capacitor
Analysis of the capacitance vs. voltage in graded channel SOI capacitor
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Analysis of the capacitance vs. voltage in graded channel SOI capacitor

Victor Sonnenberg João Antonio Martino 1959-; International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2003 (18 2003 São Paulo, SP)

Martino J.A. ed ; Pavanello, M.A. ed ; Morimoto, N.I. ed Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003 Pennington : Electrochemical Society, 2003

Pennington Electrochemical Society 2003

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19
Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2'mu'm - resultados finais
Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2'mu'm - resultados finais
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2'mu'm - resultados finais

João Antonio Martino 1959- Jacobus Willibrordus Swart 1950-; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica (4. 1989 Porto Alegre)

Anais

Porto Alegre Sociedade Brasileira de Microeletrônica 1989

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20
Physical characterization and reliability aspects of MuGFETs
Physical characterization and reliability aspects of MuGFETs
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Physical characterization and reliability aspects of MuGFETs

Cor Claeys Eddy Simoen; J.M Rafi; Marcelo Antonio Pavanello; João Antonio Martino 1959-; International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO (22. (2007 Rio de Janeiro, RJ); Symposium on Integrated Circuits and Systems Design (20. 2007 Rio de Janeiro, RJ); Microelectronics Students Forum (7. 2007 Rio de Janeiro, RJ)

SBMicro 2007

Pennington The Electrochemical Society 2007

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